Die Infineon Technologies AG erweitert das MOSFET-Portfolio für mittelhohe Spannungen durch OptiMOS 300 V. Infineon sieht damit seine Position als Marktführer bei energieeffizienten Lösungen beispielsweise für Telekommunikationssysteme, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Motorregelungen, Industrienetzteile und Wechselrichter untermauert.
Die neue OptiMOS 300 V-Reihe soll Systementwickler darin unterstützen, bei höchster Zuverlässigkeit die Leistungsdichte zu erhöhen und gleichzeitig die Kosten zu senken. Der Endanwender profitiert laut Hersteller ebenfalls durch geringere Energiekosten. OptiMOS 300 V soll die Energieverluste in hart schaltenden Anwendungen wie zum Beispiel AC/DC-Wandlern halbieren. Dies lässt höhere Schaltfrequenzen zu, was wiederum die Verwendung kleinerer passiver Bauelemente erlaubt und so auch die Abmessungen der Gesamtlösung verkleinert. OptiMOS 300 V ermöglicht darüber hinaus zusätzliche Reserven für Spannungsspitzen, was in einem 60-V-Telekommunikations-Gleichrichter für mehr Zuverlässigkeit und Sicherheit sorgt und das Design vereinfacht. Auch die Anzahl der Stufen, die in Hochspannungs-Schaltnetzteilen kaskadiert werden müssen, lässt sich verringern. Eine USV für 110 V AC ist mit OptiMOS 300 V ebenfalls realisierbar.
„Mit einer Sperrspannung von 300 V erweitert Infineon die führende OptiMOS-Technologie in einer Spannungsklasse, die bislang nicht zum Mainstream gehört. So werden künftig Anwendungen wie zum Beispiel Multi-Level-Wandler unterstützt“, sagt Richard Kuncic, Vice President & General Manager Business Line DC/DC bei der Infineon Technologies AG. „Aufgrund der herausragenden Leistungsfähigkeit der OptiMOS-Technologie und ihres breiten Anwendungsspektrums gehen wir davon aus, dass sich diese Spannungsklasse als neuer Standard auf dem Markt für Leistungs-MOSFETs etablieren wird.“
Ausgestattet mit einer schnellen Diodentechnologie, zeichnet sich OptiMOS 300 V im Vergleich zum nächstbesten alternativen Baustein durch eine um 70 Prozent geringere Sperrverzögerungsladung Q rr aus. Diese Charakteristik sorgt für ein sanftes Verhalten der Body-Diode und minimiert die Spannungs-Überschwinger. OptiMOS 300 V im TO-220-Gehäuse bietet den industrieweit niedrigsten Wert für den Einschaltwiderstand R DS(on) mit einer gegenüber anderen Produkten auf dem Markt um 58 Prozent geringeren Figure of Merit (FOM: R DS(on) x Q g). Dies äußert sich unmittelbar durch geringere Leitungsverluste und einen insgesamt höheren Wirkungsgrad in Hochstrom-Anwendungen wie etwa Motorregelungen.
OptiMOS 300 V ist in zwei verschiedenen Gehäusen verfügbar: als D 2PAK-Version mit einem R DS(on) von 40,7 mΩ sowie im TO-220-Gehäuse mit einem R DS(on) von 41 mΩ. Beide Varianten werden bereits produziert.
