SiC-MOSFET Gate-Treiber Sicher ansteuern bis 1200 V 21.06.2019 Die SCALE iDriver-Familie im Vertrieb von Hy-Line Power Components hat Zuwachs bekommen: ein neuer Baustein bedient ...
Entwärmungskonzepte im Überblick Ratgeber für den richtigen Kühlkörper 15.05.2019 Stranggepresste Kühlkörper aus Aluminium werden gerne eingesetzt, um elektronische Bauelemente effizient zu ...
Referenzdesigns und Analog-ICs Länger und weiter elektrisch fahren 09.05.2019 Texas Instruments hat geprüfte Referenzdesigns für Batteriemanagement- und Traktionswechselrichter-Systeme sowie ...
Lüfteraggregate Luftstrom gegen die Hitze 23.04.2019 Heutige Elektronikbaugruppen besitzen immer mehr Leistung bei gleichzeitig höheren Packungsdichten. Entwärmung über ...
Leistungshalbleiter und Systemlösungen Fokus auf E-Mobilität und Stromversorgung 23.04.2019 Auf der PCIM 2019 zeigt Rohm eine Reihe von Neuentwicklungen, die aus Forschungs- und Designinitiativen der ...
In 15 Minuten fit für 200 km Geschwindigkeitsboost fürs DC-Laden 09.04.2019 Damit sich Elektrofahrzeuge auch für längere Strecken eignen, müssen sie schneller geladen werden. Erreicht werden ...
SPICE-Modellierung für SiC-Leistungs-MOSFETs Willkommene Weiterentwicklung 04.10.2018 Durch die Einführung von SiC-MOSFETs mit großer Bandlücke stehen der Elektronikbranche völlig neue Möglichkeiten bei ...
Expertenkommentar von Uwe Scheuermann, Semikron „Rechenleistung alleine reicht nicht aus, um reale Module nachzubilden“ 04.10.2018 Simulationstools werden immer feiner und die hohe verfügbare Rechenleistung verspricht auch komplexe Zusammenhänge ...
Subsystem-Designansatz für SiC-Dreiphasen-Wechselrichter Erhabeneres Design von innen heraus 15.06.2018 Siliziumkarbidhalbleiter haben bereits verschiedene Anwendungsmärkte erschlossen und gewinnen dank hoher ...
SiC- und GaN-IGBTs im Vergleich Das Kräftemessen in der Leistungselektronik hat begonnen 15.06.2018 Die Wide-Bandgap-Halbleitermaterialien Galliumnitrid und Siliziumkarbid versprechen die Leistungselektronik zu ...
