Passendes IGBT-Modul gesucht Die Qual der Wahl 16.05.2018 Das vermeintlich beste, schnellste oder neueste IGBT-Modul ist häufig nur bedingt für eine Applikation geeignet. ...
WBG-Halbleiter vor dem Durchbruch? Mut zur Bandlücke macht sich bezahlt 16.05.2018 Leistungselektronische Bausteine sollen effizienter und kleiner werden. Immer mehr Hersteller greifen dafür auf Wide ...
Testlabor für Leistungselektronik Power Lab testet Bauelemente auf Herz und Nieren 22.02.2018 Rohm Semiconductor hat in der Nähe ein Testlabor für Leistungselektronik eröffnet, um Kunden auf Applikationsebene ...
IGBT-Module Kompakte Leichtgewichte 03.11.2017 Moderne IGBT-Module im Bereich von 1.700 bis 3.300 Volt in leichter Bauweise und kompakter Bauform sind bei ...
Effiziente Steuerung mehrerer Versorgungsspannungen Der Reihe nach bedienen 27.10.2017 Systems-on-Chip, Field Programmable Gate Arrays und Embedded-Module in der richtigen Reihenfolge mit ...
Distribution von MOSFETs Mouser ist neuer Vertriebspartner von D3 07.07.2017 Gemäß der Vertriebsveinbarung hält Mouser die gesamte Produktlinie der +FET 650V-Superjunction-MOSFETs von D3 ...
Leistungswandler Infineon: Erstes Full-SiC-Modul in Serienproduktion 16.05.2017 Größere Leistungsdichte, geringere Baugrößen und reduzierte Systemkosten: Das sind die wesentlichen Vorteile von ...
Halbbrücken-IGBT-Modul DualXT von Fuji Electric (Promotion) Erhöhte Lebensdauer und die Leistungsdichte im Halbleitermodul 10.05.2017 Halbleitermodule sollen immer leistungsfähiger sein und gleichzeitig länger halten. Wie das funktioniert, zeigt das ...
Rohm Semiconductor Volle Power auf der PCIM 02.05.2017 Auf der PCIM zeigt Rohm Semicondutor ein erweitertes Portfolio voller Power.
Simulation von Leistungshalbleitern Wege durchs IGBT-Dickicht 18.04.2017 Leistungshalbleiter werden in vielen Bereichen der Elektronik benötigt. Bei ihrem Einsatz ist es wichtig, die ...