Mobilfunknetze resilienter betreiben GaN-Transistoren für Satellitenkommunikation 11.09.2024 Mit zunehmend steigenden Datenraten im Mobilfunk wächst auch der Bedarf an leistungsfähigerer ...
Sicherung der europäischen Wirtschaftskraft 1200-V-GaN-HEMTs für die Energiewende 10.06.2024 Leistungsstarke und energieeffiziente elektronische Bauelemente bilden eine technologische Säule der Energiewende. ...
Fokus auf Power Embedding Bessere Effizienz in Hochleistungssystemen 10.05.2024 Schukat, Distributor für elektronische Bauteile und Taiwan Semiconductor (TSC) blicken in diesem Jahr auf eine sehr ...
Energieeffizient und Ressourcenschonend Die nächste Generation von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern 03.02.2023 Im EU-geförderten Projekt „UltimateGaN“ forschten 26 Partner aus neun europäischen Ländern gemeinsam an der nächsten ...
Herstellung auf die nächste Stufe heben Fertigung von Galliumnitrid: Günstiger und mit gesicherten Lieferketten 04.11.2022 Galliumnitrid wird von vielen immer noch als eine neue Halbleitertechnologie angesehen. Obwohl GaN inzwischen in ...
Vom BMBF gefördertes Forschungsprojekt Energieverbrauch von Mobilfunkbasisstationen deutlich senken 25.03.2022 Das Projekt „EdgeLimit-Green ICT“ zur Realisierung von energiesparsamen Mobilfunkbasisstationen ist gestartet. Die ...
Halbleiterelektronik DC/DC-Wandler für GaN-Gate-Treiber 20.12.2021 Die passende Schaltung für einen Galium-Nitrid-Halbleiter zu finden ist nicht immer einfach. Im folgenden erläutert ...
GAN-HEMTs Mehr Leistung dank anderer Technik 12.04.2016 MOSFETs sind nach Hochfrequenz- mittlerweile auch Leistungsbauteile geworden. Dasselbe gilt auch für HEMTs (High ...
