Subsystem-Designansatz für SiC-Dreiphasen-Wechselrichter Erhabeneres Design von innen heraus 15.06.2018 Siliziumkarbidhalbleiter haben bereits verschiedene Anwendungsmärkte erschlossen und gewinnen dank hoher ...
SiC- und GaN-IGBTs im Vergleich Das Kräftemessen in der Leistungselektronik hat begonnen 15.06.2018 Die Wide-Bandgap-Halbleitermaterialien Galliumnitrid und Siliziumkarbid versprechen die Leistungselektronik zu ...
Advanced Synchronous Reverse Blocking Neue Schaltungstopologien für hocheffiziente Leistungswandler 16.05.2018 Bei der Entwicklung kostengünstiger leistungselektronischer Systeme mit hoher Energiedichte spielt Energieeffizienz ...
Power-MOSFETs Robust gegen Ground Shifts 16.05.2018 Masseverschiebung ist ein großes Problem für Gate-Treiber-ICs in Schaltnetzteilen. Durch sie kommt es zu ...
Neues Plattform-Design von Recom Universelles Halb-Brücken-Referenzdesign 29.01.2018 Das neue Plattform-Design von Recom kann dazu verwendet werden, das tatsächliche Verhalten verschiedener ...
Produktankündigung EMI-Reduzierung bei erhöhtem Wirkungsgrad 16.10.2017 Mouser Electronics führt jetzt die Leistungsstufe LMG5200 in Gallium-Nitrid-Technik (GaN) von Texas Instruments (TI ...
Leistungswandler Infineon: Erstes Full-SiC-Modul in Serienproduktion 16.05.2017 Größere Leistungsdichte, geringere Baugrößen und reduzierte Systemkosten: Das sind die wesentlichen Vorteile von ...
Halbbrücken-IGBT-Modul DualXT von Fuji Electric (Promotion) Erhöhte Lebensdauer und die Leistungsdichte im Halbleitermodul 10.05.2017 Halbleitermodule sollen immer leistungsfähiger sein und gleichzeitig länger halten. Wie das funktioniert, zeigt das ...
Simulation von Leistungshalbleitern Wege durchs IGBT-Dickicht 18.04.2017 Leistungshalbleiter werden in vielen Bereichen der Elektronik benötigt. Bei ihrem Einsatz ist es wichtig, die ...
Induktive Sensoren Mehr Informationen aus dem Sensor herausholen 08.03.2017 Durch ein verbessertes Verhältnis zwischen Gehäuselänge und Messweg sollen die neuen induktiven Wegaufnehmer von A. ...
