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Halbbrücken-IGBT-Modul DualXT von Fuji Electric (Promotion) Erhöhte Lebensdauer und die Leistungsdichte im Halbleitermodul

Fuji Electric’s Halbbrücken-IGBT-Modul mit der neuesten Chip-Generation, der X-Serie oder auch 7G, erhöht die Lebensdauer und die Leistungsdichte des Halbleitermoduls. Neue Aufbau- und Verbindungstechnologien ermöglichen diesen technologischen Fortschritt. Des Weiteren wurde das interne Chip-Layout verbessert, sodass die interne Streuinduktivität reduziert werden konnte.

Fuji Electric’s Halbbrücken-IGBT-Modul mit der neuesten Chip-Generation, der X-Serie oder auch 7G, erhöht die Lebensdauer und die Leistungsdichte des Halbleitermoduls. Neue Aufbau- und Verbindungstechnologien ermöglichen diesen technologischen Fortschritt. Des Weiteren wurde das interne Chip-Layout verbessert, sodass die interne Streuinduktivität reduziert werden konnte.

Bild: Dominik Gierke
10.05.2017

Halbleitermodule sollen immer leistungsfähiger sein und gleichzeitig länger halten. Wie das funktioniert, zeigt das DualXT von Fuji Electric. Näheres verrät ein Blick ins Innere.

Neben Kupfer-Bonddrähten der DCB’s werden ebenfalls Kupfer-Bonddrähte für die Verbindung zu den außenstehenden Modul Hauptanschlüssen verwendet. Verbesserte Aluminium-Bonddrähte hingegen werden für die Si-IGBTs und FWDs verwendet.

Das DualXT ist aus zwei voneinander unabhängigen Keramiken aufgebaut. Diese elektrisch isolierende Keramik weist eine hervorragende thermische Leitfähigkeit auf. Zur elektrischen Verbindung beider DCBs werden Kupfer-Bonddrähte verwendet. Unter anderem ist dies ausschlaggebend für eine Verbesserung der Stromtragfähigkeit und Zuverlässigkeit des DualXT.

Bildergalerie

  • Bild: Dominik Gierke

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