Vorteile der neuen Leistungsschaltertechnik Moderne SiC/GaN-Leistungswandler 11.10.2018 Der Markt für Leistungswandler entwickelt sich rapide, er bewegt sich von einfachen Leistungs-/Kosten-Entwicklungen ...
SiC- und GaN-IGBTs im Vergleich Das Kräftemessen in der Leistungselektronik hat begonnen 15.06.2018 Die Wide-Bandgap-Halbleitermaterialien Galliumnitrid und Siliziumkarbid versprechen die Leistungselektronik zu ...
Advanced Synchronous Reverse Blocking Neue Schaltungstopologien für hocheffiziente Leistungswandler 16.05.2018 Bei der Entwicklung kostengünstiger leistungselektronischer Systeme mit hoher Energiedichte spielt Energieeffizienz ...
WBG-Halbleiter vor dem Durchbruch? Mut zur Bandlücke macht sich bezahlt 16.05.2018 Leistungselektronische Bausteine sollen effizienter und kleiner werden. Immer mehr Hersteller greifen dafür auf Wide ...
Halbleitertechnologien Hochleistung durch Heterointegration 09.11.2017 Bei der Heterointegration werden Komponenten aus unterschiedlichen Halbleitertechnologien monolithisch in einem Chip ...
DC-Nanogrids Neuer Anlauf für Gleichstromnetze im Haushalt und Büro 19.10.2017 Aktuelle Diskussion auf dem Imec International Technology Forum 2017
Produktankündigung EMI-Reduzierung bei erhöhtem Wirkungsgrad 16.10.2017 Mouser Electronics führt jetzt die Leistungsstufe LMG5200 in Gallium-Nitrid-Technik (GaN) von Texas Instruments (TI ...
Übertragung mit 5G Die Zukunft des Mobilfunks 02.08.2016 Eine blitzschnelle Datenübertragung, wie der neue 5G-Mobilfunkstandard sie verspricht, braucht den richtigen ...
Terrestrische Funkübertragung Weltrekord: Multi-Gigabit-Funk über höchste Distanzen 20.05.2016 Nur 10 Sekunden: Forscher der Universität Stuttgart und des Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF ...
