Die Mitsubishi Electric Corporatio gibt den Start von zwei neuen Hochvolt-IGBT Modulen der X-Serie im neuen LV100-Gehäuse bekannt. Die Produktfreigabe erfolgt sequentiell ab September; außerdem ist eine Erweiterung der Baureihe durch SiC-Module geplant.
Maximale Umrichter-Ausgangsleistung
Die neuen Module verfügen laut Hersteller mit 8,57A/cm² (3,3 kV/600 A) über die höchste derzeit am Markt verfügbare Leistungsdichte, wodurch sowohl Umrichter-Ausgangsleistung und –Wirkungsgrad erhöht, als auch flexiblere Konfigurationen und eine höhere Zuverlässigkeit erreicht werden können.
Flexible Konfiguration
Für eine gleichmäßige Stromverteilung und erhöhte Umrichter-Leistung sorgen drei AC-Hauptanschlüsse. Die Anordnung der elektrischen Anschlüsse ist darauf ausgelegt, eine gute Parallelschaltbarkeit von HVIGBT-Modulen zu gewährleisten und so flexible Umrichter-Konfigurationen zu ermöglichen.
Gehäusestruktur auf Zuverlässigkeit ausgelegt
Die direkte Integration des Isolationssubstrates in die Modulbodenplatte erhöht die Temperaturwechselfestigkeit für relativ langsame Temperaturzyklen an der Bodenplatte. Der reduzierte thermische Übergangswiderstand zwischen Chips und Bodenplatte erhöht die Lastwechselfestigkeit für relativ schnelle Temperaturzyklen an den Chips.
