Effizienzsteigerung in der Halbleiterfertigung Nexus Connect als Upgrade für Flare-Anschlüsse 13.11.2024 Mit dem neuen Flare-Anschluss Nexus Connect führt das Ingelfinger Technologieunternehmen Gemü ab sofort einen neuen ...
Durchbruch für die Bioelektrik Hydrogel-Halbleiter für bessere Gehirn-Maschine-Schnittstellen 13.11.2024 Ein neu entwickeltes Hydrogel-Halbleitermaterial könnte die Bioelektronik nachhaltig verändern: Es kombiniert die ...
Chips „made in Europe“ Deutsche Chipindustrie mit Bildungsoffensive unterstützen 12.11.2024 Mit dem Projekt „skills4chips“ leistet Deutschland einen wichtigen Beitrag zur Stärkung der europäischen ...
Vierfacher Gewinner TMC-Auszeichnung für multiphysikalische Analyselösungen 08.11.2024 Ansys wurde bei den TSMC 2024 Open Innovation Platform (OIP) Partner of the Year Awards für herausragende Leistungen ...
Zukunftsoffensive zur All Electric Society Deutsche Bauelemente-Distribution prognostiziert Trendwende für 2025 06.11.2024 Der Fachverband für Bauelemente Distribution hat den Bericht zum dritten Quartal veröffentlicht. Demnach ging der ...
Physikalische Grenzen durchbrechen 3D-Transistoren für energieeffiziente Elektronik 06.11.2024 Forscher am MIT haben Transistoren auf der Basis von vertikalen Nanodrähten entwickelt, die dank quantenmechanischer ...
Das neue Electronic-Key-System EKS2 (Promotion) Für Ihre zukunftssichere Betriebsartenwahl 05.11.2024 Durch die Entwicklung des neuen EKS2 werden drei Ziele erreicht: einfach zu implementieren, einfach zu bedienen und ...
Electronica 2024: Zukunftsweisende Innovationen für eine nachhaltige Welt Auf dem Weg zur „All Electric Society“ 04.11.2024 Das Leitthema der Electronica 2024 ist die „All Electric Society“. Dabei steht im Mittelpunkt, wie Technologien der ...
Arbeitssicherheit im Fokus (Promotion) Zuverlässige Atemschutzlösungen für die Industrie 01.11.2024 In vielen Industrien sind Mitarbeitende unterschiedlichen Gefahrstoffen ausgesetzt und benötigen daher einen ...
Mehr Energieeffizienz Infineon stellt dünnsten Silizium-Power-Wafer der Welt vor 30.10.2024 Nach der Ankündigung der weltweit ersten 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für ...
