-no-template-german.jpg "CoolSiC MOSFETs 650 V")
Mit seinem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren bietet der CoolSiC MOSFET die niedrigsten Verluste in der Applikation und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb. CoolSiC ist die perfekte Lösung für den Einsatz bei hohen Temperaturen und in rauen Umgebungen.
Merkmale
Robuste, schnelle Kommutierungs-Bodydiode mit niedriger Sperrverzögerungsladung (Qrr)
Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Niedrige Kapazitäten
Führende Trench-Technologie mit überlegener Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
XT-Verbindungstechnologie für erstklassige thermische Leistung
Erhöhte Avalanche-Fähigkeit
Funktioniert mit Standard-Treibern
Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
Hohe Leistungsfähigkeit, hohe Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit
Ermöglicht hohe Systemeffizienz und Leistungsdichte
Reduziert die Systemkosten und Komplexität
Ermöglicht billigere, einfachere und kleinere Systeme
Funktioniert in Topologien mit kontinuierlicher harter Kommutierung
Geeignet für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen
Ermöglicht bidirektionale Topologien
Weitere Informationen erhalten Sie auf der Website von Mouser.
