Der Batterielade-IC ICC80QSG von Infineon bietet einen quasi-resonanten Modus durch Valley-Switching (QRMn). Der QRM-Betrieb umfasst die Verhinderung des kontinuierlichen Leitfähigkeitsmodus (CCM) und den diskontinuierlichen Leitfähigkeitsmodus (DCM) bei mittlerer bis leichter Last. Durch die Kombination des ICC80QSG mit CoolMOS P7-MOSFET-Bauteilen lässt sich ein hoher Wirkungsgrad bei niedrigen elektromagnetischen Interferenzen (EMI) erzielen. Das führt zu Einsparungen in der Gesamtstückliste, da bei Sperrwandler-Designs weniger Kühlkörper und Spulen benötigt werden.
Bei sehr niedrigen Lasten ermöglicht die integrierte Burst-Mode-Funktion Designs mit einer sehr geringen Leistungsaufnahme im Standby-Modus. Weiterhin zeichnet sich der ICC80QSG im Burst-Modus durch eine kleinere Gate-Treiber-Ausgangsspannung aus. Er ist ideal bei geringen Anforderungen im Standby-Betrieb, wenn kaum oder keine Last vorliegt, da er eine hervorragende Standby-Leistung im gesamten Betriebsbereich aufweist.
Hohe Sicherheit im Betrieb
Der ICC80QSG führt auf der Sekundärseite ein Regelverfahren (SSR) aus, das während des Ladens der Batterie die Stromsteuerung optimiert. Eine höhere Design-Flexibilität ergibt sich aus dem zeitlich genau einstellbaren Mapping für den Wechsel der Valley-Position, abhängig von der jeweils geforderten maximalen Schaltfrequenz im Betrieb. Außerdem bietet er die Möglichkeit, eine maximale Einschaltzeit einzustellen, um die Eingangsleistung und den Strom zu begrenzen und somit auch bei Spannungsunterschreitungen einen sicheren Betrieb zu ermöglichen.
Gegen zu hohe und zu niedrige Versorgungsspannungen (Brown-in und Brown-out) verfügt der IC über eine von außen genau einstellbare Brown-In/Brown-Out-Hysterese. Das schützt den primären MOSFET vor Überhitzung auch bei wenigen Kühlkörpern, falls es zu einer Unterspannung am Eingang kommt. Dank einer umfassenden Palette an Schutzfunktionen können mit dem IC einfache, sichere und robuste AC/DC-Batterieladedesigns für viele Anwendungen realisiert werden.
