Die neuen 600-V-Typen Vishay Siliconix SiHJ8N60E sowie die neuen 650-V-Typen SiHJ6N65E und SiHJ7N65E im Distributions-Portfolio von Rutronik benötigen mit Abmessungen von 5x6 Millimetern halb so viel Leiterplattenfläche wie MOSFETs im TO-252-(DPAK) Gehäuse.
Hohe Leistungsfähigkeit auf engem Raum
Verglichen mit MOSFETs im Leadless-DFN-Gehäuse erhöht das PowerPAK-SO-8L-Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen die Zuverlässigkeit von Baugruppen, die während ihrer Lebensdauer starken Temperaturschwankungen ausgesetzt sind.
Die neuen MOSFETs bieten sehr kleine On-Widerstände ab 0,52Ω bei 10V, eine ultra-geringe Gate-Ladung ab 17nC und ein kleines Gate-Ladung-mal-On-Widerstand-Produkt. Dadurch kommt es zu geringen Durchlass- und Schaltverlusten, was deutliche Energieeinsparungen zur Folge hat. Damit eignen sich die MOSFETs für Beleuchtungs-, Industrie-, Telekom-, Computer- und Consumer-Anwendungen.
Sie widerstehen hohen Pulsenergien im Avalanche- und Kommutierungsmodus und sind RoHS-konform, halogen- und bleifrei.
