Für Deutschen Zukunftspreis nominiert
Das Team für Hochfrequenz-Radarchips von Infineon Technologies ist nominiert für den Deutschen Zukunftspreis 2015, den Preis des Bundespräsidenten für Technik und Innovation. Radarsysteme im Auto leisten einen wichtigen Beitrag für mehr Sicherheit im Straßenverkehr. Denn sie messen den Abstand zu anderen Verkehrsteilnehmern und deren Geschwindigkeit zueinander, um den Fahrer frühzeitig zu warnen und im Notfall einen Bremsvorgang einzuleiten.
Gewürdigt werden Ralf Bornefeld, Dr. Walter Hartner und Dr. Rudolf Lachner von Infineon für zwei wesentliche Innovationen, die den Durchbruch von Radarsystemen im Automobilmarkt eingeleitet haben: Infineon ist es eigenen Angaben zufolge als weltweit erstem Unternehmen gelungen, hochintegrierte Schaltkreise für den Frequenzbereich von 77 GHz (Standard-Frequenzbereich für Radaranwendungen im Auto) zu entwickeln, die auf Silizium (Si) und Silizium-Germanium (SiGe) basieren – statt auf dem zuvor üblichen Gallium-Arsenid (GaAs). Der Einsatz von Si und SiGe führt zu deutlich niedrigeren Produktkosten von Radarsystemen.
Der zweite Schritt der Innovation ist der Einsatz einer neuen Gehäusetechnologie (embedded Wafer-Level Ball Grid Array, eWLB). eWLB-Gehäuse ermöglichen bei sehr guten Hochfrequenzeigenschaften eine einfache Weiterverarbeitung der Chips beim Hersteller von Radarsystemen fürs Auto. Dadurch lassen sich die Systemkosten des Autoradars nochmals deutlich senken. Hergestellt werden die Radarchips ausschließlich in Deutschland: Alle Prozess-Schritte von der Chipfertigung bis zur Verarbeitung im Gehäuse erfolgen in Infineon-Werken in Regensburg und Dresden.
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