Anlässlich der diesjährigen PCIM in Nürnberg stellt Infineon weitere Modulplattformen und Topologien aus der Familie der 1200-V-CoolSiC-MOSFETs vor.
Zahlreiche Anwendungen denkbar
Die dynamischen Verluste liegen bei den neuen 1200-V-SiC-MOSFETS jetzt laut Hersteller um eine Größenordnung kleiner als bei vergleichbaren 1200-V-Silizium(Si)-IGBTs. Erste Produkte unterstützen zunächst die künftigen Systemziele in Anwendungen wie Photovoltaik-Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Lade-/Speicher-Systemen. Die neuen Konfigurationen werden in Kürze auch in industriellen Antrieben, der Medizintechnik oder in Hilfsstromversorgungen im Bahnsektor revolutionäre, neue Lösungen ermöglichen.
Hohe Robustheit und gutes EMV-Verhalten
Die Trench-Technologie erweitert beim 1200-V-SiC-MOSEFT die Robustheit. Diese beruht auf der geringeren Fehlerrate (FIT) und der Kurzschlussfestigkeit, die an die jeweilige Anwendung angepasst werden kann. Durch eine Einsatzspannung (Vth) von 4 V und die empfohlene Einschaltspannung (VGS) von +15 V lassen sich die Transistoren wie ein IGBT ansteuern und im Fehlerfall sicher abschalten.
Die SiC-MOSFETs verfügen über schnelle Schaltflanken. Über Gate-Widerstände lassen sich die Transienten leicht einstellen, wodurch sich das EMV-Verhalten verbessern lässt.
Wachsendes Portfolio
Bereits im letzten Jahr hat Infineon die Leitprodukte EASY 1B (Halbbrücke / Booster) sowie die diskreten 3- oder 4-poligen TO-247-Lösungen angekündigt. Die EASY-1B-Plattform ist etabliert und eignet sich als Modul für schnellschaltende Bauelemente. In diesem Jahr zeigt Infineon auf der PCIM weitere Modulbauformen und Topologien für die auf 1200 V ausgelegte SiC-MOSFET-Technologie. Damit wird das Leistungsspektrum der CoolSiC-MOSFETs Schritt für Schritt erweitert.
.jpg "SiC-MOSFETs und Si-IGBTs als selbstgeschützte Batterietrennschalter")
