Die n-Kanal-TrenchFET-MOSFETs SQJ202EP und SQJ200EP vereinen jeweils einen High-Side- und einen Low-Side-MOSFET in einem 5 x 6 Millimeter großen, asymmetrischen Powerpak-SO-8L-Gehäuse.
Durch die Kombination zweier MOSFETs – eines größeren Low-side-MOSFETs für geringeren On-Widerstand und eines kleineren High-Side-MOSFETs für kürzere Schaltzeiten – bieten der SQJ202EP (12 V) und SQJ200EP (20 V) Alternativen zu Standard-Dual-MOSFETs. Im Vergleich zu zwei diskreten MOSFETs beanspruchen diese Dual-Typen weniger Leiterplattenfläche und ermöglichen dadurch kompaktere Leiterplattenlayouts.
Spezifiziert für hohe Betriebstemperaturen bis 175 °C, arbeiten die Leiter robust und zuverlässig in Automobil-Anwendungen wie Infotainment, Telematik, Navigation und LED-Beleuchtung. Der SQJ202EP eignet sich für Anwendungen mit 8-V-Busspannung und bietet im Kanal 2 (Low-side-MOSFET) einen maximalen On-Widerstand ab 3,3mW. Der für Anwendungen mit höheren Busspannungen vorgesehene 20-V-Typ SQJ200EP bietet einen geringfügig höheren maximalen On-Widerstand von 3,7m. Beide Typen wurden auf Gate-Widerstand und Avalanche-Resistenz überprüft und sind RoHS-konform sowie halogenfrei.
