Mit dem G3VM-21MT führt Omron eigenen Angaben zufolge das erste MOSFET-Relaismodul mit T-Typ-Schaltungsstruktur weltweit ein. Mit dieser Schaltungsstruktur soll es nun möglich sein, den Leckstrom in einem Halbleiterrelais gegen null laufen zu lassen (maximal 1 pA) und damit die Zuverlässigkeit der Prüfgeräte zu verbessern. Darüber hinaus kann die Integration von langlebigen MOSFET-Relais Ausfallzeiten für Wartungsarbeiten reduzieren.
Ebenfalls zur G3VM-Reihe gehört das äußerst kleine VSON Package G3VM61UR1 mit geringer Ausgangskapazität und niedrigem Durchlasswiderstand, was die besonders reduzierte Bauweise ermöglicht. Das Bauteil verfügt über eine Temperaturtoleranz von -40 bis 110 °C und findet vor allem in der Halbleitertest- und Messtechnik, Kommunikationstechnik und bei Datenspeichern Einsatz.
Zuletzt gibt es noch das SOP4-Pin Package G3VM351VY. Es soll mit seiner Stabilität bei einer Belastungsspannung von 350 V, einem Dauerlaststrom von 110 mA und der dielektrischen Durchschlagsfestigkeit bis 3,75 kV überzeugen. Damit eignet es sich für den Einsatz in Industrie- und Sicherheitsanwendungen sowie bei Leistungsschaltungen und batteriebetriebenen (Unterhaltungs-)Geräten. Mit einem Isolationsabstand von nur 5 mm lässt es sich außerdem platzsparend positionieren.
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