Zur Erweiterung seines NexFET-Portfolios hat Texas Instruments 14 neue Leistungs-MOSFETs mit TO-220- und SON-Gehäusen für Eingangsspannungen von 40 bis 100 V herausgebracht. Bei den Bausteinen handelt es sich gemäß Hersteller um N-Kanal-Bausteine für 40, 60, 80 und 100 V, die sich durch sehr gute thermische Eigenschaften auszeichnen und für Motorsteuerungs- und Stromversorgungs-Anwendungen mit hohen Stromstärken geeignet sind. Zwei der 80- und 100-V-NexFETs sollen es auf den niedrigsten On-Widerstand der Industrie im TO-220-Gehäuse bringen: Der RDS(on) des Bauteils CSD19506 soll 2 mΩ bei einer Eingangsspannung bis zu 80 V betragen, das Bauteil CSD19536 soll auf 2,3 mΩ RDS(on) bei 100 V Eingangsspannung kommen.
Power & Leistungselektronik Niedrige On-Widerstände
Verwandte Artikel
