Die Erfahrungen mit Solid State-Sicherungen aus der Raumfahrttechnik und die Zusammenarbeit mit der ESA haben zur Entwicklung der HCF geführt. Die neue HCF weist einen vergleichbaren Aufbau wie die beiden ESA-zertifizierten Typen Schurter MGA-S und HCSF auf. Die Anforderungen in der Raumfahrt sind ganz besonders hoch, und nur die ausgereiftesten, zuverlässigsten Technologien finden dort Eingang. Auf ein für die Raumfahrt unabdingbares Screening jeder einzelnen Sicherung wird bei der HCF jedoch verzichtet, was die Kosten laut Hersteller drastisch senkt.
Metallische Dünnfilmschicht
Im Gegensatz zu konventionellen Schmelzsicherungen mit einem schwebenden Schmelzleiter verfügt die HCF über eine metallische Dünnfilmschicht. Bei dieser Technik wird mit einem sogenannten Sputter eine Metallschicht in einer exakt festgelegten Stärke im Mikrometerbereich auf ein Trägermaterial aus Glas aufgebracht. Umschlossen wird das Leitungspaket mit einem Keramikträger, welcher die notwendige Stabilität garantiert. Beim Abbrand der Sicherung entweichen dabei keinerlei Schadstoffe in fester oder gasförmiger Form. Diese Technologie macht die Schurter HCF zudem vollkommen dicht gegenüber Vergussmasse, um eine hermetische Abdichtung für den Einsatz in eigensicheren Anwendungen nach ATEX und IECEx-Anforderungen zu erreichen.
Die HCF besitzt ein hohes Ausschaltvermögen bis 1000 A bei 125 VAC respektive 125 VDC. Sie deckt einen Nennstrombereich von 5 A bis 15 A ab.
Anwendungsgebiete
Die Schurter HCF eignet sich laut Hersteller aufgrund ihrer Bauart ganz besonders für Anwendungen, die hohe Zuverlässigkeit unter besonders schwierigen Bedingungen (thermische und mechanische Schocks, zyklische Festigkeit, u.v.m.) erfordern. Beispiele möglicher Anwendungen: ATEX- und Offshore-Applikationen, Luftfahrt, Industrie. Das breite Spektrum hinsichtlich Einsatztemperatur von -50 bis 125 Grad Celsius sowie eine Vibrationsfestigkeit – geprüft bis zu 1600 Gramm – prädestinieren die HCF für anspruchsvollste Hochleistungsanwendungen unter widrigsten Bedingungen.