Das bei Mouser Electronics erhältliche Bauteil TI LMG5200 ist eine integrierte GaN-FET-Leistungsstufe mit 80 V/10 A. Sie besteht aus einem Hochfrequenztreiber und zwei 15-mΩ-GaN-FETs in einer Halbbrückenkonfiguration.
Minimierung von parasitären Induktivitäten
Das Bauteil sorgt für eine beträchtliche Reduzierung der elektromagnetischen Störungen (EMI) bei erhöhtem Wirkungsgrad der Leistungsstufe. Das wird durch die aufbau- und verbindungstechnische Minimierung von parasitären Induktivitäten im kritischen Gate-Drive-Loop erreicht. Die LMG5200 verfügt über die Multichip-Packaging-Technik und ist für den Einsatz in Leistungswandlungstopologien mit Frequenzen bis 5 MHz optimiert.
Die TTL-kompatiblen Eingänge der LMG5200 können, ungeachtet der VCC-Spannung, Eingangsspannungen bis 12 V verkraften. So können die Eingänge direkt mit den Ausgängen eines analogen PWM-Controllers mit einer Versorgung bis 12 V verschaltet werden. Eine gesonderte Puffer- oder Zwischenstufe wird dadurch überflüssig. Die proprietäre Bootstrap-Spannungsbegrenzertechnik stellt außerdem sicher, dass die Gatespannungen der GaN-Anreicherungs-FETs in einem sicheren Betriebsbereich bleiben.
Evaluationsmodul LMG5200EVM-02
Mouser führt ebenfalls das Evaluationsmodul LMG5200EVM-02, das den Entwicklern eine vollständig funktionierende Leistungsstufe mit einem externen PWM-Signal bieten soll. Das Board kann als Abwärts-, Aufwärts- oder sonstige Wandlertopologie in Halbbrückenauslegung konfiguriert werden. Es lässt sich einsetzen, um die Leistungsmerkmale des LMG5200 als hart schaltender Wandler (Hard Switching, weder U noch I beim Schalten gegen Null) zu bewerten – beispielsweise zum Messen von Wirkungsgrad, Schaltgeschwindigkeit und Spannungssteilheit (dU/dt).
