Die CoolSiC G2-MOSFET-Baureihe ist die nächste Generation der Siliziumkarbid-Technologie und eröffnet ein neues Kapitel in der Leistungs- und Energieumwandlung in (SiC) MOSFET-Trench-Technologie für Photovoltaik-Umrichter, Energie-Speichersysteme, EV-Laden, Netzteile und Motorantriebs-Applikationen.
Die bei Mouser erhältlichen Infineon CoolSiC G2-MOSFETs bieten höchste Qualitätsstandards in allen gängigen Stromversorgungsschemata (AC-DC, DC-DC und DC-AC) und sind eine Weiterentwicklung der einzigartigen XT-Verbindungstechnologie von Infineon (zum Beispiel in diskreten Gehäusen TO-263-7, TO-247-4) zur Verbesserung der Halbleiterchipleistung und der thermischen Leistung.
In 650-V und 1200-V verfügbar
Sowohl die 650-V- und die 1200-V-Variante der CoolSiC G2-MOSFETs verbessern die entscheidende MOSFET-Leistung bei Energiespeicherung und Ladevorgängen um bis zu 20 Prozent, ohne die Qualität oder Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen. Gleichzeitig verbessern sie die Gesamtenergieeffizienz und Dekarbonisierung.
Die thermische Belastbarkeit des G2 ist um 12 Prozent höher und hebt den CoolSiC auf ein neues Niveau für SiC-Leistung mit einer schnellen Schaltfähigkeit, die je nach Lastzustand um 5 bis 30 Prozent geringere Leistungsverluste in allen Betriebsmodi ermöglicht und zu erheblichen Energieeinsparungen beitragen kann.
Die neue Generation der SiC-Technologie des CoolSiC G2 ermöglicht ein beschleunigtes Design kostenoptimierter, kompakter, zuverlässiger und hocheffizienter Systeme mit Einsparungen beim Energy Harvesting und merklicher CO2-Reduzierung im Praxiseinsatz.
