Die CoolSiC G2-MOSFET-Baureihe ist die nächste Generation der Siliziumkarbid-Technologie und eröffnet ein neues Kapitel in der Leistungs- und Energieumwandlung in (SiC) MOSFET-Trench-Technologie für Photovoltaik-Umrichter, Energie-Speichersysteme, EV-Laden, Netzteile und Motorantriebs-Applikationen.
Die bei Mouser erhältlichen Infineon CoolSiC G2-MOSFETs bieten höchste Qualitätsstandards in allen gängigen Stromversorgungsschemata (AC-DC, DC-DC und DC-AC) und sind eine Weiterentwicklung der einzigartigen XT-Verbindungstechnologie von Infineon (zum Beispiel in diskreten Gehäusen TO-263-7, TO-247-4) zur Verbesserung der Halbleiterchipleistung und der thermischen Leistung.
In 650-V und 1200-V verfügbar
Sowohl die 650-V- und die 1200-V-Variante der CoolSiC G2-MOSFETs verbessern die entscheidende MOSFET-Leistung bei Energiespeicherung und Ladevorgängen um bis zu 20 Prozent, ohne die Qualität oder Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen. Gleichzeitig verbessern sie die Gesamtenergieeffizienz und Dekarbonisierung.
Bildergalerie
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Bei Mouser Electronics sind die Infineon CoolSiC G2-MOSFETs der neuen Generation erhältlich.
Bild: Mouser Electronics, Infineon
Die thermische Belastbarkeit des G2 ist um 12 Prozent höher und hebt den CoolSiC auf ein neues Niveau für SiC-Leistung mit einer schnellen Schaltfähigkeit, die je nach Lastzustand um 5 bis 30 Prozent geringere Leistungsverluste in allen Betriebsmodi ermöglicht und zu erheblichen Energieeinsparungen beitragen kann.
Die neue Generation der SiC-Technologie des CoolSiC G2 ermöglicht ein beschleunigtes Design kostenoptimierter, kompakter, zuverlässiger und hocheffizienter Systeme mit Einsparungen beim Energy Harvesting und merklicher CO2-Reduzierung im Praxiseinsatz.
