Mit der SMFA-Serie asymmetrischer TVS-Dioden von Littelfuse führt Rutronik eine Lösung für größere Widerstandsfähigkeit von SiC-MOSFET-Gate-Treiber-Schaltungen. Die Dioden wurden speziell für den Schutz der empfindlichen Gate-Strukturen sowohl vor negativen als auch vor positiven Überspannungen entwickelt, und können daher als Ersatz für zwei separate TVS-Dioden verwendet werden. Damit ermöglicht die Serie Designs, die sowohl kostengünstig, als auch platzsparend sind und parasitäre Effekte minimieren. Sie eignen sich besonders für schnell schaltende SiC-Anwendungen im Bereich anspruchsvoller Stromversorgung für KI-/ Rechenzentren, Halbleiter-/ Industrieausrüstung oder der Infrastruktur für E-Mobilität. Sie sind in verschiedenen Ausführungen in Tape & ReelStandardverpackung bei Rutronik erhältlich.
SiC-MOSFETs haben typischerweise eine deutlich geringere negative als positive Gate-Spannung. Daher war bislang ein asymmetrischer Schutz mit zwei separaten TVS-Dioden erforderlich, was mehr Platz im Design erforderte. Für diese Herausforderung bietet Littelfuse die integrierte asymmetrische, bidirektionale TVS-Diode vom Typ SMFA an.
Die Komponenten punkten mit niedriger Induktivität und einer hervorragenden Klemmfähigkeit. Sie erfüllen die Anforderungen der IEC 61000-4-2 bei 30 kV Luft- und 30 kV Kontaktentladung, sowie die der Entflammbarkeitsklasse UL94 V-0. Der Whisker-Test wird auf Grundlage von JEDEC JESD201A gemäß Tabelle 4a der Klassen 1 und 2 durchgeführt. Je nach erforderlichem maximalen Gate-Spannungswert werden verschiedenen Typen mit positiven Durchbruchsspannungen (VBR) zwischen 17,6 V und 23,4 V angeboten. Die negative Durchbruchsspannung beträgt jeweils 7,15 V.
Benefits im Überblick
Asymmetrische Diode zum Schutz sowohl vor positiver, als auch negativer Überspannung
Hervorragende Klemmfähigkeit
Niedrige Induktivität
Glas-passivierter Junction-Chip
Oberflächenmontierbar
Low-Profile-SOD-123FL-Gehäuse mit 1,08 mm Höhe
Tape & Reel Standard Packaging
Halogenfrei und RoHS-konform
Anwendungsbeispiele
Stromversorgungen für KI-/ Rechenzentren und Server
Hochzuverlässige Stromversorgungen für Halbleiter-/ Industrieanlagen
Hocheffiziente Stromversorgungen für EVI (Electric Vehicle Infrastructure)
