Microchip Technology gibt eine Erweiterung seines Angebots an Galliumnitrid-(GaN-)HF-Leistungselektronik um neue MMICs und diskrete Transistoren bekannt, die Frequenzen bis zu 20 GHz abdecken. Die Bausteine kombinieren eine hohe Leistungseffizienz und eine hohe Linearität, um ein neues Leistungsniveau in Anwendungen wie 5G, elektronische Kriegsführung, Satellitenkommunikation, kommerzielle und militärische Radarsysteme und Testgeräte zu erzielen.
Unterstützung für alle Frequenzbereiche
Wie alle GaN-HF-Leistungselektronik-Bauelemente von Microchip werden die neuen Bausteine in GaN-auf-Siliziumkarbid-Technologie gefertigt, mit der sich die beste Kombination aus hoher Leistungsdichte und Ausbeute sowie High-Voltage-Betrieb und einer Lebensdauer von mehr als eine Millionen Stunden bei einer Sperrschichttemperatur von 255 °C erzielen lässt.
Dazu gehören GaN-MMICs für 2 bis 18 GHz, 12 bis 20 GHz und 12 bis 20 GHz mit 3-dB-Compression-Point-(P3dB-)HF-Ausgangsleistung bis 20 W und einem Wirkungsgrad bis 25 Prozent; Bare-Die- und gehäuste GaN-MMIC-Verstärker für S- und X-Band mit bis zu 60 Prozent PAE sowie diskrete HEMT-Bausteine für DC bis 14 GHz mit einer P3dB-HF-Ausgangsleistung bis 100 W und einem maximalen Wirkungsgrad von 70 Prozent.
„Microchip investiert weiterhin in sein Angebot an GaN-HF-Produkten, um jede Anwendung bei allen Frequenzen von Mikrowellen- bis Millimeterwellenlänge zu unterstützen“, sagt Leon Gross, Vice President der Discrete Products Business Unit bei Microchip.
„Unser Angebot umfasst nun mehr als 50 Bauelemente – von niedrigen Leistungsstufen bis 2,2 kW. Die heute angekündigten Bausteine decken einen Frequenzbereich von 2 bis 20 GHz ab und sind darauf ausgelegt, die Anforderungen an die Linearität und Effizienz zu erfüllen, die sich aus den Modulationsverfahren höherer Ordnung ergeben, wie sie bei 5G und anderen Funknetzen zum Einsatz kommen, sowie den besonderen Anforderungen der Satellitenkommunikation und Rüstungstechnik.“
Großes Angebot an GaN-Bauelementen
Microchips Angebot an HF-ICs und GaN-Bauelementen reicht von Galliumarsenid-(GaAs-)HF-Verstärkern und -Modulen bis hin zu rauscharmen Verstärkern, Frontend-Modulen (RFFEs), Varaktoren, Schottky- und PIN-Dioden, HF-Schaltern und spannungsvariablen Dämpfungsgliedern.
Hinzu kommen hochleistungsfähige SAW-Sensoren, MEMS-Oszillatoren sowie hochintegrierte Module, die Mikrocontroller mit HF-Transceivern kombinieren, die die wichtigsten funkbasierten Kurzstrecken-Kommunikationsprotokolle von Bluetooth über Wi-Fi bis LoRa unterstützen.
Microchip bietet wie seine Distributionspartner Unterstützung beim Board-Design und Design-In. Hinzu kommen kompakte Modelle für die neuen GaN-Bauelemente, mit denen Kunden die Leistungsfähigkeit einfacher modellieren und das Design der Leistungsverstärker in ihren Systemen beschleunigen können.
