Der auf der TrenchFET-Gen-IV-Technik basierende asymmetrische 30-V-Dual-TrenchFET-Leistungs-MOSFET SiZ340DT von Vishay im 3 mm x 3 mm kleinen PowerPair-Gehäuse soll einen um 57 Prozent geringeren On-Widerstand, eine bis zu 25 Prozent höhere Leistungsdichte und einen um 5 Prozent höheren Wirkungsgrad als bisherige MOSFETs dieser Größe bieten. Der Low-Side-MOSFET (Kanal 2) im SiZ340DT hat nach Angaben des Unternehmens einen On-Widerstand von 5,1 mΩ bei 10 V bzw. 7 mΩ bei 4,5 V Gate-Spannung. Der High-Side MOSFET (Kanal 1) soll einen On-Widerstand von 9,5 mΩ bei 10 V bzw. 13,7 mΩ bei 4,5 V Gate-Spannung haben.
Power & Leistungselektronik Geringer On-Widerstand
Firmen zu diesem Artikel
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Vishay Electronic GmbH
Selb, Deutschland
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