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Erweiterung des Produktsortiments Mehr Effizienz in Hochleistungssystemen

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden der Serie 650VG1 von Taiwan Semiconductor sind ab sofort beim Distributor Schukat verfügbar.

Die Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden der Serie 650VG1 von Taiwan Semiconductor sind ab sofort beim Distributor Schukat verfügbar.

Bild: Schukat
24.07.2024

Die neuen Siliziumkarbid-(SiC)-Schottky-Dioden der Serie 650VG1 von Taiwan Semiconductor sind ab sofort beim Distributor Schukat erhältlich. Sie eignen sich für hocheffiziente AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Wandlungsanwendungen mit hohen Anforderungen. Dahinter steht ihre - im Gegensatz zu den auf Silizium basierenden Fast-Recovery-Gleichrichtern - niedrige kapazitative Ladung (QC) durch geringe Schaltverluste. Dadurch eigenen sie sich für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen, was Schaltdesigns mit höherer Leistungsdichte zugutekommt und die Gesamtgröße der Lösung verringert.

Zu den Hauptmerkmalen der TSC Serie 650VG1 zählen eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und der Hochfrequenzbetrieb sowie die MPS-Struktur für hohe Robustheit gegenüber Durchlass-Stromstößen.

Die hohe Durchlassfähigkeit ermöglicht den effizienten Betrieb in verschiedenen Stromversorgungssystemen. Zudem sorgt der positive VF-Temperaturkoeffizient (25 °C bei maximal 1,45 V) für Stabilität in verschiedenen Temperaturbereichen. Zu den von den 650VG1 Dioden von TSC unterstützten Schaltungsfunktionen gehören die PFC-Boost-Diode, freilaufende Diode, Vollwellenbrücke und die Wiener brückenlose Schaltung.

Die Bauteile sind RoHS-konform und halogenfrei. Ihre Anwendungsbereiche umfassen AD-DC-Netzteile, DC-DC-Wandler und Solar-Wechselrichter, Server-Netzteile in Rechenzentren, Telekommunikationsgeräte und USV-Systeme.

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