M/A-COM Technology Solutions (MACOM) hat die GaN-on-Silicon-Leistungstransistoren der Serie MAGb für den Einsatz in Makro-Basisstationen für den Mobilfunk auf den Markt gebracht. Die Leistungstransistoren MAGb-101822-240B0P und MAGb-101822-120B0P basieren auf der Gen4-GaN-Technik des Herstellers.
Die beiden Leistungstransistoren besitzen Kunststoffgehäuse der Bauart TO-272. Sie sollen eine maximale Ausgangsleistung von 320 W bzw. 160 W im Load-Pull-System nur mit Grundabstimmung erreichen und sämtliche Mobilfunkbänder und Leistungspegel im Frequenzbereich von 1,8 bis 2,2 GHz abdecken. Durch die Eignung dieser Transistoren für den Betrieb in einem 400 MHz breiten Frequenzband wird die Verwendung mehrerer LDMOS-basierter Produkte überflüssig, was die Kosten und die Designeffizienz weiter optimiert.
MAGb-Leistungstransistoren im Kunststoffgehäuse kommen gemäß Hersteller auf eine Energieeffizienz von 79 Prozent, was gegenüber LDMOS-Lösungen eine Verbesserung um 10 Prozent bedeutet, und dies nur mit Grundabstimmung bei einer Bandbreite von 400 MHz sowie einer linearen Verstärkung bis zu 20 dB. Diese Transistoren bilden damit eine Alternative zu Bausteinen in Keramikgehäusen, ohne dass dies zu Lasten der HF-Performance oder der Zuverlässigkeit geht. Die thermischen Eigenschaften sollen sogar um 10 Prozent besser sein als bei MAGb-Produkten im Keramikgehäuse.
Die neuen Leistungstransistoren erlauben die Implementierung eines einfachen, symmetrischen Doherty-Verstärkerdesigns, wobei gegenüber den komplexen und weniger leistungsfähigen asymmetrischen Doherty-Topologien, die bei LDMOS-Transistoren erforderlich sind, eine sehr gute HF-Leistung gewahrt wird. Mit den Transistoren der MAGb-Serie von MACOM bestückt, sind Doherty-Verstärker genau so DPD-freundlich wie Lösungen auf LDMOS-Basis.
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