Die kompakte SMTOAK2 TVS-Dioden-Serie mit einem Nennstrom von 2 kA (8/20 μs) im oberflächenmontierten Gehäuse ermöglicht es Elektronikentwicklern, ein robusteres System zum Schutz vor transienten Spannungen, Überspannungen und Blitzschlag zu entwickeln. Dabei benötigen sie zudem weniger Platz auf der Leiterplatte.
Die SMTOAK2 TVS-Dioden-Serie eignet sich vor allem für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte, die einen robusten Schutz auf kleinem Raum erfordern, zum Beispiel:
Informationstechnologie, Medizintechnik, industrielle DC-Stromversorgungen
DC-Bus-Schutz für hohe Leistungen
DC-Stromversorgungen, die in exponierten und rauen Umgebungen eingesetzt werden
Power over Ethernet (PoE)-Anschlüsse
Kleinzellen, Mikrozellen, abgesetzte Funkeinheiten (RRU), Basisbandeinheiten (BBU)
SiC- und GAN-basierte DC/DC-Wandler/Stromversorgungen mit hoher Leistungsdichte
„Aufgrund von globalen Trends und behördlichen Anforderungen steigt die Nachfrage nach Stromversorgungen mit höherem Wirkungsgrad, Hochstrom- und Hochgeschwindigkeits-MOSFET/IGBT-Designs“, sagt Ben Huang, Senior Product Marketing Manager bei Littelfuse. „Diese schnell schaltenden Designs benötigen Schutz vor induktivem Rückschlag. Durch den Einsatz der Hochleistungs-SMTOAK2-TVS-Dioden-Serie erreichen Entwickler eine hohe Zuverlässigkeit und Robustheit. Gleichzeitig reduzieren sie den benötigten Platz auf der Leiterplatte sowie die Montagezeit.“
Die wichtigsten Vorteile der SMTOAK2 TVS-Dioden-Serie auf einen Blick:
Schutz teurer, extrem schneller Hochstrom-MOSFET/IGBT-Schaltungen vor induktiven Stößen mit niedriger Klemmspannung und hoher Überspannungsfestigkeit
Ermöglicht Entwicklern einen robusten Schaltungsschutz bei geringerem Platzbedarf auf der Leiterplatte durch ein modifiziertes, kompaktes SMTO-263-Gehäuse für die Oberflächenmontage, das 50 Prozent kleiner ist als SMTO-218-Lösungen für die Oberflächenmontage
Kompatibel mit automatisierten PCB-Bestückungsprozessen, die Kosten senken und Zeit sparen
