60 V Single-Chip-eFuse-Baustein So geschützt wie noch nie

FETs in Back-to-Back-Konfiguration steigern den Schutz und die Leistungsfähigkeit von 24-V- und 48-V-Applikationen

Bild: Texas Instruments
10.11.2016

Texas Instruments präsentiert den Single-Chip-eFuse-Baustein mit Back-to-Back-FETs, der den industrieweit höchsten Schutz bis zu Spannungen von 60 V bietet.

Mit integrierten Funktionen wie einem Verpolungsschutz und einer Rückstromsperre ist der TPS2660 laut Hersteller Texas Instruments der höchstintegrierte eFuse-Baustein auf dem Power-Management-Markt für 24-V- und 48-V-Anwendungen in Industrie-, Automotive- und Kommunikations-Infrastruktur-Designs.

Folgende Eigenschaften bietet der eFUse-Baustein TPS2660:

  • Sein Verpolungsschutz schützt die angeschlossenen Verbraucher vor den Folgen von Verdrahtungsfehlern, die bei industriellen Anlagen mit Schraubklemmen leicht vorkommen können.

  • Eine Rückstromsperre verhindert, dass Ströme vom Ausgang an den Eingang zurückfließen.

  • Schutz- und Integrationseigenschaften verringern die Leiterplattenfläche um 40 Prozent, da auf externe Bauteile verzichtet werden kann.

Starthilfe für eigene Designs bietet das Input Protection and Backup Supply Design for 25W PLC Controller Unit. Darin fungieren die Gleichspannungswandler LM5002 und LM5160 als Hilfsstromversorgung zur Einhaltung der IEC-Norm 61000-4.

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