SCALE iDriver können Halbleiter-Leistungsschalter für Umrichter bis in den mehrstelligen kW-Leistungsbereich steuern. Sie sollen das Problem der prinzipiell leistungsarmen, doch infolge der hohen Kapazitäten doch mit höheren Strömen erfolgenden Ansteuerung der Gates von IGBTs und MOSFETs lösen.
Ansteuerung kann problematisch sein
SiC-MOSFETs sind eine Option, bei hoher Spannung und Leistung schneller schalten zu können. Doch ergeben sich bei der Ansteuerung diverse Unterschiede: Der Pegel zum Einschalten ist höher als bei Silizium-Halbleitern, der zum Ausschalten variiert stark und ist mal höher, mal niedriger als bei Silizium. Missachtung führt zu unbefriedigenden Ergebnissen und der Gefahr, den SiC-MOSFET zu zerstören.
Problem lösen durch Zusatzteile
Deshalb gibt es nun einen SCALE iDriver, der speziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs mit 600 bis 1200 V Sperrspannung konstruiert ist. Herstellerangaben zufolge bietet er für SiC-MOSFETs höhere Taktfrequenzen bis zu 150 kHz, schnelleren Überlast- und Kurzschlussschutz mit Abschaltung innerhalb von 5 µS.
Zudem verfügt er über Advanced Active Clamping, Spitzenausgangsströme von ± 8 A und erhöhte Isolation sowie Kriechstecken, die zukünftig auch UL1577 und VDE 0884-10 zertifiziert sein werden. Die Umgebungstemperatur darf zwischen -40 °C und 125 °C liegen.
Mit einem ebenfalls bei Hy-Line erhältlichen Referenz-Design und einem speziellen Übertrager, der die Versorgung von High und Low Side in Halbbrücken sicherstellt, sind komplette SiC-Umrichterstufen realisierbar, die in der Fotovoltaik, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Schweißumrichtern, Stromversorgungen und Servotreibern Vorteile bringen sollen.
