„Die neue Fab ist Bestandteil unserer langfristigen 300-mm-Roadmap zum Aufbau jener Fertigungskapazität, auf die unsere Kunden in den nächsten Jahrzehnten angewiesen sein werden”, kommentiert Haviv Ilan, Executive Vice President und Chief Operating Officer von TI und designierter President und Chief Executive Officer des Unternehmens.
„Unsere Entscheidung zum Bau einer zweiten Fabrik in Lehi unterstreicht unser Engagement für den Bundesstaat Utah und stellt ebenfalls eine Bestätigung für unser dortiges talentiertes Team dar, das die Grundlagen für ein weiteres wichtiges Kapitel in der Zukunft unseres Unternehmens schafft. Wegen des erwarteten steigenden Halbleiterbedarfs in der Elektronik speziell auf dem Industrie- und Automotive-Sektor, sowie insbesondere angesichts der Verabschiedung des Chips and Science Acts, wäre kein besserer Zeitpunkt für weitere Investitionen in unsere interne Fertigungskapazität denkbar.“
800 zusätzliche Arbeitsplätze
Die beträchtliche Investition von 11 Milliarden US-Dollar stellt das größte wirtschaftliche Investment in der Geschichte Utahs dar. Neben etwa 800 zusätzlichen Arbeitsplätzen direkt bei TI wird die Erweiterung der Fabrik in Lehi auch Tausende indirekter Jobs schaffen. TI freut sich außerdem darauf, seine Partnerschaft mit dem Alpine School District zu festigen und wird 9 Millionen US-Dollar aufwenden, um die Chancen und Ergebnisse der dortigen Schülerinnen und Schüler zu verbessern.
„Unternehmen wie Texas Instruments investieren weiter in Utah, weil die von uns gebotenen geschäftlichen Rahmenbedingungen zur Weltspitze zählen und weil wir außerdem herausragende Arbeitskräfte zu bieten haben“, sagt Spencer Cox, Gouverneur von Utah. „Nicht zuletzt wird die neue Wafer-Fab von TI die Rolle Utahs als Zentrum der weltweiten Halbleiterfertigung auf Generationen hinaus zementieren.”
Die Verfügbarkeit von geschultem Personal, die robuste bestehende Infrastruktur und ein starkes Netz von Partnern im Gemeinwesen machen Lehi in der Tat zu einem idealen Standort. Für Elektronik-Anwendungen auf der ganzen Welt werden in der neuen Fab täglich einige zehn Millionen Analog- und Embedded-Processing-Chips produziert werden.
Der Plan um das Projekt
Die Fabrik wird so konzipiert, dass sie gemäß dem LEED-Klassifizierungssystem (Energy and Environmental Design) für energiesparendes Bauen eines der besten Resultate (LEED Gold) in Sachen strukturelle Effizienz und Nachhaltigkeit erzielt. Geplant ist beispielsweise, die Wasserrückgewinnungsquote gegenüber der bestehenden Fab in Lehi zu verdoppeln. Fortschrittliches 300-mm-Equipment und entsprechende Prozesse werden das Abfallaufkommen sowie den Wasser- und Energieverbrauch pro Chip weiter verringern.
Baubeginn für die neue Fab soll im zweiten Halbjahr 2023 sein, während der Produktionsbeginn bereits 2026 erfolgen soll. Die Kosten der neuen Fertigungsstätte sind im bereits angekündigten Kapitalaufwendungs-Plan von TI zum Ausbau der Produktionskapazität enthalten. Damit werden die bereits existierenden 300-mm-Fabs DMOS6 (Dallas), RFAB1 und RFAB2 (beide in Richardson, Texas) sowie LFAB (Lehi) ergänzt. Gleich vier neue 300-mm-Fabs baut TI außerdem im texanischen Sherman.
