Cree hat ein neues MOSFET Design Kit herausgebracht. Es soll sich schnell und einfach zusammenbauen und anwenden lassen, Vergleichstests zwischen IGBTs und MOSFETs des Herstellers ermöglichen und ein effektives Layout-Beispiel zur korrekten Ansteuerung von MOSFETs mit einem Minimum an Oszillationen bereit halten. Das Kit ist als Hilfestellung für Ingenieure konzipiert, die noch nicht mit den höheren Schaltgeschwindigkeiten von SiC-Bauelementen vertraut sind.
Es eröffnet den einfachen Zugang zu wichtigen Prüfpunkten, sodass sich Werte wie etwa VGS, VDS und IDS leicht und präzise messen lassen, so das Unternehmen. Darüber hinaus soll das Kit einfach für verschiedene Auf- und Abwärtswandler-Topologien konfiguriert werden können. Durch Kombinieren von zwei oder drei Kits lassen sich auch Halbbrücken- und Drei-Phasen-Konfigurationen aufbauen und analysieren.
Das Design Kit enthält zwei Cree-MOSFETs (1.200 V/80 mΩ) und zwei Cree-Schottky-Dioden (1.200 V/20 A) in standardmäßigen TO-247-Gehäusen sowie ein als Halbbrücke konfiguriertes Design-Board mit isolierten Gatetreibern, Stromversorgungen und allen übrigen Bauteilen, die zum Aufbau der Leistungsstufe benötigt werden. Zum Lieferumfang des Kits sollen auch der Schaltplan und das Layout eines Gatetreibers für einen Cree-MOSFET im TO-247-Gehäuse gehören sowie ein umfassendes Anwenderhandbuch mit Blockschaltbildern und Spezifikationen.
