Toshiba Electronics Europe hat mit dem Baustein TKR74F04PB sein Angebot an Automotive-Leistungs-MOSFETs erweitert. Das 40-V-n-Kanal-Bauteil mit niedrigem Durchlasswiderstand wird im TO-220SM(W)-Gehäuse ausgeliefert. Der TKR74F04PB eignet sich laut Hersteller für verschiedene leistungsstarke Automotive-Anwendungen wie DC/DC-Wandler, elektrische Servolenkung und Lastschalter.
Der TKR74F04PB erzielt einen niedrigen RDS(on)-Wert von typ. 0,6 / max. 0,74 mOhm. Dieser wird nach Unternehmensangaben durch die Kombination von Toshibas Trench-MOS-U-MOS-IX-Prozess der neunten Generation und des eigens entwickelten TO-220SM(W)-Gehäuses erzielt. TO-220SM(W) bietet einen breiteren und kürzeren Source-Anschluss als herkömmliche D2PAK-Gehäuse (TO-263) und benötigt aufgrund seiner geringeren Stellfläche weniger Platz auf der Leiterplatte.
Der Baustein TKR74F04PB soll den Automotive-Qualifikationsanforderungen nach AEC-Q101 entsprechen.
