Bei den Siliziumkarbid(SiC)-Z-Rec-Schottky-Dioden der Reihe CPW5 handelt es sich nach Angaben von Cree um die erste kommerziell angebotene SiC-Gleichrichterfamilie für 50 A Nennstrom. Sie wurden entwickelt, um die direkte Anpassung von 50-A-Dioden an MOSFETs oder IGBTs mit 50 A Nennstrom zu erleichtern. Die Dioden sollen in Durchlassrichtung Stromstöße bis maximal 500 A (wiederholend) beziehungsweise 2.000 A (einmalig) überstehen, was für erhöhte Zuverlässigkeit unter widrigen elektrischen Bedingungen sorgt.
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