Alle neuen N-Channel-MOSFETs von Taiwan Semiconductor (TSC) sind laut dem Monheimer Distributor Schukat Electronic für hohe Drain-Source-Spannungen von 500 bis 900 V ausgelegt und erlauben Drainströme bis zu 18 A (TSM60NB190CI/CZ). In den gängigen MOSFET-Gehäusen TO251, TO220 und ITO220 sind die Bauteile untergebracht. TSC setzt bei seinen neuen Leistungs-MOSFETs neben der weit verbreiteten Planar-Technologie nun zunehmend auf die Super-Junction-Technologie (TSM60Nxx, TSM70Nxx und TSM80Nxx).
Schneller und effizienter mit mehr Leistung
Diese soll schneller und effizienter schaltende MOSFETs mit verbessertem Sperrverhalten ermöglicht. So produziert der taiwanesische Hersteller bereits 600-V-Super-Junction-MOSFETs in der zweiten Generation (TSM60NBxxi), die ab Lager Schukat erhältlich sind.
Durch die Reduzierung des Einschalt-Widerstandes RDS(on) und der Gate-Ladung Qg ergibt sich bei diesen Super-Junction-MOSFETs ein deutlich verbessertes FOM (figure of merit = RDS(on) x Qg), verglichen mit MOSFETs, die in Planar-Technologie gefertigt werden. Für den Anwender bedeutet das deutlich geringere Leitungs- und Schaltverluste in allen Applikationen. Die neuen High-Voltage-MOSFETs von TSC sind ab sofort verfügbar.
