Höhere Leistungsdichte und geringere Verluste Leistungselektronik der IGBT-7-Reihe deckt Nachhaltigkeit und E-Mobilität ab

Die IGBT-7-Reihe wird in den Standardgehäusen D3 und D4 (62 mm) sowie SP6C, SP1F und SP6LI ausgeliefert.

Bild: Microchip
15.11.2024

Leistungselektronik wird stetig weiterentwickelt, um den steigenden Anforderungen an effizientere, kleinere und leistungsfähigere Systeme gerecht zu werden. Um Entwicklern ein breites Angebot an Leistungselektronikkomponenten zu bieten, stellt Microchip seine IGBT-7-Bauelemente vor, die in verschiedenen Gehäusen, mehreren Topologien sowie Strom- und Spannungsbereichen angeboten werden.

Mit mehr Leistungsfähigkeit, geringeren Verlusten und kompakten Bauteilmaßen ist das neue Angebot auf wachstumsstarke Märkte wie Nachhaltigkeit, E-Mobilität und Rechenzentren ausgelegt. Die IGBT-7-Reihe umfasst Bauelemente für Leistungselektronik in Solarwechselrichtern, Wasserstoff-Ökosystemen, Nutz- und Landwirtschaftsfahrzeugen und elektrisch angetriebenen Flugzeugen.

Entwickler können je nach Anforderung eine geeignete Leistungselektroniklösung auswählen. Viele Konfigurationen sind in den folgenden Topologien verfügbar: dreistufige/3L NPC (Neutral-Point Clamped), 3-Phasen-Brücke, Boost-Chopper, Buck-Chopper, Dual-Common-Source, Vollbrücke, Phasenabschnitt, Einzelschalter und T-Typ. Die Bauteile sind mit Spannungen von 1.200 bis 1.700 V und Stromstärken von 50 bis 900 A erhältlich.

Leon Gross, Corporate Vice President der Discrete Product Group bei Microchip, sagt: „Das vielseitige IGBT-7-Angebot ist benutzerfreundlich, kosteneffizient und sorgt für eine höhere Leistungsdichte und für mehr Zuverlässigkeit. Kunden erhalten damit maximale Flexibilität. Die Produkte sind für allgemeine industrielle Anwendungen sowie für spezielle Luft- /Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen konzipiert. Darüber hinaus können sie mit unseren FPGAs, Mikrocontrollern (MCUs), Mikroprozessoren (MPUs), dsPIC Digital Signal Controllern (DSCs) und Analog-ICs integriert werden, um eine umfassende Systemlösung aus einer Hand zu erhalten.“

Vielzahl an Einsatzmöglichkeiten

Die niedrigere IGBT-Durchlassspannung (UCE), die verbesserte antiparallele Diode (niedrigere UF) und die erhöhte Strombelastbarkeit führen zu geringeren Leistungsverlusten, mehr Leistungsdichte und einer höheren Systemeffizienz. Die Gehäuse mit niedrigerer Induktivität, kombiniert mit der höheren Überlastfähigkeit bei Tvj = 175 °C, machen die Bausteine zu hervorragenden Optionen für robuste und zuverlässige Luftfahrt-/Verteidigungsanwendungen, zum Beispiel für Antrieb, Betätigung und Stromverteilung zu geringeren Systemkosten.

Für Motorsteuerungen, bei eine verbesserte dU/dt-Steuerung erfordern, sind die IGBT-7-Bausteine so konzipiert, dass sie eine Soft-Freilauffunktion für effizientes, reibungsloses und optimiertes Ansteuern von Schaltern bieten. Die Bauelemente verbessern auch die Systemzuverlässigkeit, verringern elektromagnetische Störungen und minimieren Spannungsspitzen.

Microchip bietet ein breites Angebot an Power-Management-Lösungen, das Analog-ICs, Silizium-/Si- und Siliziumkarbid-/SiC-Leistungselektronik, dsPIC DSCs sowie standardmäßige, modifizierte und kundenspezifische Leistungsmodule umfasst.

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