Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, erweitert seine C3M-Plattform um einen neuen 1.200 V und 75 mOhm MOSFET im diskreten Gehäuse, das sich durch eine niedrige Induktivität auszeichnet. Sie soll laut Hersteller auf der einen Seite Designs vereinfachen und auf der anderen Seite für eine Frequenzerhöhung bei gleichbleibender Effizienz und niedrigeren Systemkosten sorgen. Zudem will Wolfspeed elektromagnetische Störungen im Schaltkreis reduzieren und Effizienzlevel von 99 Prozent bei dreiphasigen Blindleistungskompensations-Schaltungen ermöglichen.
Davon sollen beispielsweise Anwendungsdesigner von Telekommunikationsnetzteilen, Aufzügen, netzgebundenen Speichern, On- und Offboard EV-Ladestationen und Fabrikautomation profitieren. Geht es nach Wolfspeed lässt sich die Schaltfrequenz bei gleichbleibender Effizienz erhöhen – gleichzeitig will man Systemgröße und Materialkosten reduzieren. Bei direktionaler Leistung, wie beispielsweise bei netzgebundener AC/DC-Kopplung soll das Einsparpotenzial aufgrund der geringeren Größe des Eingangsfilters signifikant sein.
Planare C3M-MOSFET-Technologie der dritten Generation
Der Baustein besitzt die planare C3M-MOSFET-Technologie, die bereits in unterschiedlichen Automobil- und Industrie-Anwendungen Verwendung gefunden hat. Er verfügt über einen niedrigen On-Widerstand (75 mΩ), kombiniert mit einer geringen Gate-Ladung. Dadurch eignet er sich ideal für dreiphasige, brückenlose PFC-Topologien sowie AC/AC-Konverter und Ladegeräte.
Das 4L TO-247 Gehäuse reduziert laut Hersteller Schaltverluste im Vergleich zu konventionellen TO-247-3 Packages um das Dreifache. Das oberflächenmontierte 7L-D2PAK-Gehäuse will praktisch die Source-Induktivität minimieren, die in anderen Packages gefunden wird, und hat einen um 52 Prozent kleineren Footprint als D3PAKs.
Entwickler können die Anzahl der Komponenten reduzieren, indem sie von Silizium-basierten, Drei-Level-Topologien zu einfacheren Zwei-Level-Topologien wechseln. Dies wird durch das verbesserte Schaltverhalten ermöglicht, so Wolfspeed. Die MOSFETs mit höherer Spannung sollen viele Einschränkungen von Silizium-basierten Superjunction-MOSFETs beseitigen.
