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Die Produkt-Roadmap von D3 verbindet Mixed-Signal-Funktionen mit Hochspannungs-Schaltelementen. Ziel ist hohe Zuverlässigkeit zusammen mit der Möglichkeit, maßgeschneiderte Lösungen für eine Vielzahl von Anwendungen schnell bereit zu stellen. Neben der Unterstützung der Märkte in Amerika und Europa besitzt D3 Semiconductor über seine Tochtergesellschaft D3 Asia zudem eine Präsenz in Asien.
Starke FETs neu im Mouser-Portfolio
Nun können von Mouser Electronics +FET 650V-Superjunction-Power-MOSFETs von D3 Semiconductor bezogen werden. Jeder +FET ist für Betriebsspannungen bis 650 V ausgelegt, was höhere Leistungsdichten in Anwendungen wie beispielsweise Umrichter und Motorantriebe ermöglicht, die herkömmlich von IGBTs bedient werden.
+FET MOSFETs besitzen einen geringen Einschaltwiderstand (RDS-ON) im Bereich von 32 bis 1000 Milliohm. Dies verbessert die Leistung in Niederfrequenzanwendungen und erhöht die Schaltgeschwindigkeit, um schnelle Übertragungen der Gateladung in kürzester Zeit ermöglichen.
Jedes Bauelement dieser Produktfamilie wird während der Fertigung mit den branchenweit höchsten Avalanche-Strömen zu 100 Prozent Avalanche-getestet. Die Bauelemente erfüllen zudem die Norm JESD 22 für elektrostatische Entladungen (ESD) und wurden mehr als 3000 Stunden lang einem Belastungstest im Hochtemperatur-Sperrbetrieb unterzogen.
