Gerade durch den wachsenden Bedarf an Cloud-Diensten wegen KI und IoT sehen sich Anwender vor der Herausforderung, den Stromverbrauch zu senken, während Kapazität und Leistung zeitgleich zunehmen müssen. Die neuen MOSFETs verfügen über ein vierpoliges Gehäuse (TO-247-4L), das Schaltleistungen maximiert, Schaltverluste aber um bis zu 35 Prozent gegenüber konventionellen dreipoligen Gehäusen (TO-247N) reduzieren soll. Sie eignen sich besonders für den Einsatz bei Server-Stromversorgungen, USV-Systemen, Solarwechselrichtern und EV-Ladestationen.
Durch den Einsatz des TO-247-4L-Gehäuses werden die Treiber- und Stromquellen-Pins getrennt, was die Auswirkungen der parasitären Induktivitätskomponente minimiert. Das trägt zu einem spürbar geringeren Stromverbrauch bei und ist vor allem für Hochleistungsanwendungen interessant, für die eine unterbrechungsfreie Stromversorgung vonnöten ist.
Zugehöriges Entwicklungsboard
Das passende Evaluation Board (P02SCT3040KR-EVK-001) ist mit Gate-Treiber-ICs (BM6101FV-C) ausgestattet, die für die Ansteuerung von SiC-Bauelementen optimiert sind. Mehrere Stromversorgungs-ICs und diskrete Komponenten sollen die Bewertung und Entwicklung von Anwendungen erleichtern.
Die Kompatibilität mit beiden verfügbaren Gehäusetypen ermöglicht eine Evaluierung unter denselben Bedingungen. Das Board kann für Doppelimpulstests sowie zur Bewertung von Komponenten in Boost-Schaltkreisen, Zwei-Pegel-Wechselrichtern und synchronen Gleichrichtungs-Buck-Schaltkreisen verwendet werden.
.jpg "SiC-MOSFETs und Si-IGBTs als selbstgeschützte Batterietrennschalter")
