Photonische Raum-Zeit-Kristalle Optische Informationsverarbeitung verbessern 20.11.2024 Photonische Raum-Zeit-Kristalle sind Materialien, die die drahtlose Kommunikation und Lasertechnologien effizienter ...
1000-mal schnellerer Kurzschlussschutz Vollelektronischer e-Starter mit Halbleitertechnik 19.11.2024 Siemens Smart Infrastructure bringt erstmals einen vollelektronischen Starter mit Halbleiter-Technologie auf den ...
Forschungsprojekt erfolgreich abgeschlossen Stärkere und günstigere Lithium-Ionen Batterien entwickelt 19.11.2024 Varta hat das Forschungsprojekt ECO2LIB erfolgreich abgeschlossen: Es stehen nun Lithium-Ionen Batterien mit ...
Feststoff-Batterien sicher entwickeln Sichere Produktion für die Energiespeicher der Zukunft 11.11.2024 Trotz derzeit stagnierender Absatzzahlen bleiben E-Autos ein zentraler Schlüssel zur Verkehrswende. Die dabei ...
Vierfacher Gewinner TMC-Auszeichnung für multiphysikalische Analyselösungen 08.11.2024 Ansys wurde bei den TSMC 2024 Open Innovation Platform (OIP) Partner of the Year Awards für herausragende Leistungen ...
Die Zukunft der Elektromobilität Siliziumkarbid-Technologie der nächsten Generation 07.11.2024 Die neue vierte Generation einer Siliziumkarbid-MOSFET-Technologie setzt neue Maßstäbe in Energieeffizienz, ...
Klassische versus planare Transformatoren Netzteile verkleinern 07.11.2024 Bei jedem klassischen Schaltnetzteil ist der Transformator eine der größten passiven elektrischen Komponenten. Mit ...
Physikalische Grenzen durchbrechen 3D-Transistoren für energieeffiziente Elektronik 06.11.2024 Forscher am MIT haben Transistoren auf der Basis von vertikalen Nanodrähten entwickelt, die dank quantenmechanischer ...
Hybride Materialien für die Informationstechnik Leistung der optischen Datenübertragung steigern 05.11.2024 Das Forschungsprojekt ATHENS des Karlsruher Instituts für Technologie (KIT) unter der Leitung von Christian Koos und ...
Mehr Energieeffizienz Infineon stellt dünnsten Silizium-Power-Wafer der Welt vor 30.10.2024 Nach der Ankündigung der weltweit ersten 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für ...
