In einem rund einjährigen, gemeinsamen Entwicklungsprojekt wurden wichtige Fortschritte in der Fertigung von „Smart-Power-Technologien“ erzielt. Dabei hat das Fraunhofer IPMS den Halbleiterhersteller Infineon durch die Bereitstellung ausgewählter Prozessmodule innerhalb der gesamten CMOS-Prozesswertschöpfungskette auf 300 mm Wafern wesentlich unterstützt.
Ein bedeutender Fortschritt für die Fertigung
Die Zusammenarbeit hatte maßgeblichen Anteil bei der Prozessentwicklung für den Fabrikausbau bei Infineon Dresden. Über 2000 Wafer wurden im Rahmen dieser Zusammenarbeit erfolgreich prozessiert. Dabei wurden die Wafer mehrfach zwischen dem Fraunhofer IPMS und Infineon Dresden ausgetauscht, um eine optimale Nutzung der Ressourcen sowie eine optimale Integration in die Produktionslinien sicherzustellen.
„Die Ergebnisse dieses gemeinsamen Projekts sind äußerst vielversprechend und markieren einen bedeutenden Fortschritt für die Fertigung von „Smart-Power-Technologien“ bei Infineon Dresden“, kommentierte Projektleiter Andreas Thamm von Infineon. „Die enge Zusammenarbeit und die Bereitstellung von Prozessmodulen durch Fraunhofer IPMS haben es uns ermöglicht, den für eine Erweiterung unserer Fertigungskapazitäten nötigen Prozesstransfer auf 300 mm-Anlagen schneller als geplant voranzutreiben.“
Die erfolgreiche Durchführung dieses Projekts unterstreicht die technologische Kompetenz und die effektive Zusammenarbeit zwischen dem Fraunhofer IPMS und seinen Kooperationspartnern. Als wertvoll erwies sich dabei, dass bereits mehrere gemeinsame Projekte mit dem Halbleiterexperten Infineon abgeschlossen wurden: „Wir arbeiten schon seit Jahren zusammen“, bestätigt IPMS-Projektleiter Dr. Malte Czernohorsky.
„Bei diesem Projekt haben Fraunhofer-Experten und -Expertinnen mit Kolleginnen und Kollegen von Infineon eng zusammengearbeitet. Die Teams sind inzwischen aufeinander eingespielt. Die Zusammenarbeit war immer ergebnisorientiert, die Kolleginnen und Kollegen von Infineon sehr offen für unsere Impulse“, lobt Czernohorsky. „Aufgrund der guten Erfahrungen aus den Vorjahren denken wir bereits über Folgeprojekte nach.“
Eine der größten Einzelinvestitionen seiner Geschichte
Dieser Meilenstein und der Ausbau von Kapazitäten im Bereich Smart-Power-Fab verdeutlicht die kontinuierlichen Bemühungen von Infineon, seine Position als führender Anbieter von Hochleistungs-Schaltkreisen insbesondere am Standort Dresden weiter zu stärken. Mit dem Neubau der Smart Power Fab tätigt Infineon eine der größten Einzelinvestitionen seiner Geschichte.
Ziel des Halbleiterherstellers ist es, das Tempo bei der Erweiterung seiner Fertigungskapazitäten für Halbleiter zu erhöhen und den Standort Europa in der Chipherstellung weiter zu stärken. Dies ist ein wichtiger Beitrag, um den weltweit wachsenden Bedarf an Halbleitern zu decken - beispielsweise für Anwendungen zur Gewinnung erneuerbarer Energien, für den Einsatz in Rechenzentren und für die Elektromobilität.
Die Arbeiten von Infineon werden im Rahmen eines Vorhabens von gemeinsamem europäischem Interesse (Important Projects of Common European Interest, IPCEI) in den Bereichen Mikroelektronik und Kommunikationstechnologien durch die Europäische Union, das Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz sowie den Freistaat Sachsen gefördert.
Mit der Förderung werden Entwicklungen zukunftsfähiger Mikroelektronik und Kommunikationstechnologien bis zur Marktreife unterstützt. So soll die europäische Wertschöpfungskette vervollständigt und zur europäischen Technologiesouveränität beigetragen werden sowie durch energieeffiziente Technologien und Prozesse der Klimaschutz vorangebracht werden.
