Infineon Technologies und Cree haben einen langfristigen, strategischen Liefervertrag für Siliziumkarbid-(SiC)-Wafer vereinbart. Damit kann Infineon sein Angebot von SiC-Produkten weiter ausbauen, um aktuelle Wachstumsmärkte wie Photovoltaik-Wechselrichter oder Elektromobilität zu adressieren. Cree beliefert Infineon mit Siliziumkarbid-Wafern von 150 Millimeter Durchmesser, passend für die modernen SiC-Fertigungslinien von Infineon.
„Wir schätzen Cree seit langer Zeit als starken und zuverlässigen Partner, der einen hervorragenden Ruf in der Branche genießt“, sagte Reinhard Ploss, CEO von Infineon. „Dank der langfristig gesicherten Versorgung mit SiC-Wafern können wir unsere strategischen Wachstumsfelder in der Automobil- und Industrieelektronik weiter stärken. Damit schaffen wir einen zusätzlichen Mehrwert für unsere Kunden.”
„Infineon ist für uns ein langjähriger, wertvoller Geschäftspartner mit einem ausgezeichneten Ruf“, sagte Gregg Lowe, CEO von Cree. „Dieser Liefervertrag bestätigt die Qualität unserer SiC-Wafer und unsere Kapazitätserweiterung. Die beschleunigte Einführung von SiC-basierten Produkten wird maßgeblich dazu beitragen, schnellere, kleinere, leichtere und leistungsfähigere elektronische Systeme zu ermöglichen.“
Siliziumkarbid (SiC) unterstützt viele Anwendungen
Siliziumkarbid-basierte Halbleiter sorgen für höchste Effizienz und bahnbrechende Lösungen im Bereich der Leistungsumwandlung und in Elektrofahrzeugen. Der Bedarf stieg in den letzten Jahren kontinuierlich an. Verglichen mit siliziumbasierten Leistungshalbleitern lässt sich durch SiC-Bauelemente Energie einsparen. Außerdem ermöglicht die geringere Größe der passiven Komponenten eine höhere Systemdichte. In den nächsten Jahren werden SiC-Produkte neben Anwendungsgebieten wie Elektromobilität und Photovoltaik verstärkt bei Robotik, Ladeinfrastruktur, industrielle Stromversorgung, Traktionssysteme und drehzahlveränderbare Antriebe eingesetzt werden.
