Rohm hat mit dem BD2311NVX-LB einen Gate-Treiber-IC entwickelt, der für GaN-Bauelemente optimiert ist. Der IC ermöglicht die Gate-Ansteuerung im Nanosekundenbereich (ns) und ist damit ideal für Hochgeschwindigkeits-GaN-Schaltungen geeignet.
Möglich wurde dies durch ein tiefes Verständnis der GaN-Technologie und die kontinuierliche Weiterentwicklung der Gate-Treiber-Performance. Das Ergebnis ist ein schnelles Schalten mit einer minimalen Gate-Eingangspulsbreite von 1,25 ns. Dies trägt zu kleineren, energieeffizienteren und leistungsfähigeren Anwendungen bei.
Da die Anzahl der IoT-Geräte weiter zunimmt, sind die Verbesserung des Wirkungsgrads bei der Energieumwandlung und die Verkleinerung der Stromversorgungen in Serversystemen zu wichtigen Faktoren geworden. Dies erfordert weitere Fortschritte im Bereich der Leistungsbauelemente. Gleichzeitig benötigt LiDAR, das nicht nur für das autonome Fahren, sondern auch für die Überwachung von Industrieanlagen und sozialer Infrastruktur eingesetzt wird, gepulstes Laserlicht mit hoher Geschwindigkeit, um die Erkennungsgenauigkeit weiter zu erhöhen.
Diese Art von Anwendungen erfordern den Einsatz von Hochgeschwindigkeits-Schaltbauelementen. Deshalb entwickelte ROHM zusammen mit der Einführung von GaN-Bauelementen einen Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber-IC, der die GaN-Leistung maximiert. Auch in Zukunft wird Rohm kleinere WLCSP-Produkte auf den Markt bringen, um eine weitere Miniaturisierung zu unterstützen.
Da GaN-Bauelemente empfindlich auf Überspannungen am Gate-Eingang reagieren, hat Rohm eine einzigartige Methode zur Unterdrückung von Gate-Überspannungen entwickelt und in die neuen Treiber implementiert.
Das optimale GaN-Bauelement kann üblicherweise durch Anpassung des Gate-Widerstandes an die Anforderungen der Anwendung ausgewählt werden. Unter dem Namen EcoGaN bietet Rohm eine Reihe von GaN-Bauelementen an, die in Kombination mit Gate-Treiber-ICs, die ihre Leistung maximieren, einen höheren Wirkungsgrad erreichen.
Der Gate-Treiber BD2311NVX-LB mit seiner einzigartigen Funktion zur Unterdrückung von Gate-Überspannungen vereinfacht das Design und erhöht die Zuverlässigkeit der Anwendung, wenn er zusammen mit ROHMs EcoGaN-Produkten verwendet wird.
Die Leistungsfähigkeit kann durch Gate-Treiber-ICs aufgezeigt werden
Professor Yue-Ming Hsin, Fachbereich für Elektrotechnik, Nationale Zentraluniversität, Taiwan: „Von GaN-Bauelementen wird erwartet, dass sie im Hochfrequenzbereich leistungsfähiger sind als Silizium. In Leistungsschaltungsanwendungen wie DC/DC- und AC/DC-Wandlern sowie in LiDAR-Anwendungen kann die Leistungsfähigkeit von GaN-Bauelementen zu kleineren, energieeffizienteren und leistungsfähigeren Anwendungen beitragen.Um die Leistungsfähigkeit von GaN-Bauelementen zu demonstrieren, werden Gate-Treiber-ICs benötigt, die schnelles Schalten ermöglichen und gleichzeitig die niedrige Ansteuerspannung von GaN-HEMTs berücksichtigen.“
Yue-Ming Hsin führt fort: „Aus diesem Grund haben wir uns an Rohm gewandt. Ziel ist es, die Leistung von GaN-Bauelementen durch die Entwicklung einer optimierten Gate-Treiber-Technologie zu maximieren. Professor Yu-Chen Liu (National Taipei University of Technology) und Professor Chin Hsia (Chang Gung University), die gemeinsam an diesem Projekt arbeiten, haben den Treiber-IC von ROHM, den BD2311NVX, getestet.“
Yue-Ming Hsin erklärt abschließend: „Die Ergebnisse zeigten, dass der BD2311NVX im Vergleich zu anderen Treiber-ICs eine kürzere Anstiegszeit und geringere Schwingungen bei einer Schaltfrequenz von 1 MHz für Aufwärtswandler aufweist. Die verkürzte Anstiegszeit dieses Treiber-ICs hilft, die Schaltverluste zu minimieren – ein Vorteil von GaN. Wir freuen uns auf die GaN-Lösungen von ROHM, die ihre Stärken in analogen Technologien für Stromversorgungen und Treiber haben.“
