Die beiden neuen Produkte bieten eine -3 dB Bandbreite (differentiell) von 26,2 GHz oder 27,5 GHz bei einem maximalen Gleichstrom von 150 µA im aktiven Modus, was eine hohe Signalintegrität gewährleistet. Toshiba erreicht diese Spitzenleistung durch Weiterentwicklung der in Eigenregie entwickelten SOI-CMOS-Technologie (Silizium-auf-Isolator mit komplementärem Metalloxid-Halbleiter), die nun unter dem Namen TaRFSOI eine Front-End-Prozesstechnologie darstellt.
Der Betriebsbereich für Differenzsignale beträgt 0 bis 2,0 V für die Gleichtaktspannung und 0 bis 1,8 Vss für den Differenzspannungshub, wodurch eine große Bandbreite an Differenzschnittstellenstandards abgedeckt wird. Im Standby-Modus kann die Stromaufnahme auf 10 µA und weniger reduziert werden, was den Stromverbrauch senkt. Die neuen Bausteine können bei Umgebungstemperaturen von -40 °C bis + 85 °C betrieben werden.
Beide Bausteine sind in einem winzigen XQFN16-Gehäuse mit den Abmessungen 2,4 mal 1,6 mm und einer Höhe von 0,4 mm untergebracht und erfüllen damit die Anforderungen von Technikern und Ingenieuren, die den Platzbedarf auf Leiterplatten verringern wollen. Der TDS4B212MX verfügt über eine optimierte Pinbelegung, um eine hohe Frequenzleistung zu erzielen, wohingegen die Pinbelegung des TDS4A212MX das Leiterplattenlayout vereinfacht.
Weiterführende Auswahl
Neben diesen beiden neuen Hochleistungsbausteinen für USB4, PCIe Gen 4 und Thunderbolt 4 hat Toshiba außerdem sein Sortiment an anderen Hochgeschwindigkeits-Bus-Switches erweitert, die bei Farnell erhältlich sind. Diese eignen sich für USB 2,0, PCIe Gen1, allgemeine Ein-/Ausgänge (GPIO) mit 5 V und Niederspannung sowie Pegelwandler-Bausteine für I2C-Schnittstellen. Dies erschließt Konstrukteuren eine große Auswahl an Bus-Switch- und Pegelwandler-Optionen.
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