Die 700-V-SiC-MOSFETs sowie 700- und 1.200-V-SiC-Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) von Microchip ergänzen das bestehende Angebot an SiC-Leistungsmodulen. Die über 35 diskreten Bauelemente sind in Serienstückzahlen erhältlich und werden durch diverse Entwicklungsdienstleistungen, Tools und Referenzdesigns unterstützt. Das Angebot an SiC-Dies, diskreten Bauelementen und Leistungsmodulen stellt Microchip mit verschiedenen Spannungen, Stromstärken und Gehäusearten bereit.
Robustheitstests bestanden
Die SiC-MOSFETs und -SBDs sollen ein effizienteres Schalten bei höheren Frequenzen ermöglichen und Robustheitstests auf einem Niveau durchlaufen, das langfristige Zuverlässigkeit gewährleistet. Bei diesen UIS-Robustheitstests (Unclamped Inductive Switching) schneiden die SiC-SBDs nach eigenen Angaben um etwa 20 Prozent besser ab als andere SiC-Dioden.
Gemessen wird, wie gut die Bauelemente einer Verschlechterung oder einem vorzeitigen Ausfall unter Lawinen-Bedingungen standhalten. Diese treten auf, wenn eine Spannungsspitze die Durchbruchsspannung des Bauelements übersteigt. Sie zeigen eine Abschirmung des Gate-Oxids und Kanalintegrität mit einer geringfügig schlechteren Lebensdauer – selbst nach 100.000 Zyklen des RUIS-Tests (Repetitive UIS).
Abkündigung ausgeschlossen
Das erweiterte SiC-Angebot wird durch SiC-SPICE-Modelle, Referenzdesigns für SiC-Treiberboards und ein PFC-Vienna-Referenzdesign (Leistungsfaktorkorrektur) unterstützt. Alle SiC-Produkte sind in Serienstückzahlen zusammen mit dem zugehörigen Support erhältlich. Für die SiC-MOSFETs und SiC-Dioden stehen verschiedene Die- und Gehäuseoptionen zur Verfügung.
Die neuen SiC-Bauelemente werden durch Microchips Obsoleszenzpraxis unterstützt. Diese soll gewährleisten, dass Bausteine so lange produziert werden, wie sie von den Kunden benötigt werden.
