Mitsubishi Electric hat acht neue HV-IGBT-Module der X-Serie in den Spannungsklassen 3,3 kV, 4,5 kV und 6,5 kV entwickelt. Sie eignen sich für den Einsatz in Traktions-Umrichtern mit hoher Leistung und reduzierter Baugröße, in Gleichstrom-Übertragungs-Systemen, in Industrieantrieben hoher Leistung sowie in anderen leistungselektronischen Systemen mit hohen Strömen und Spannungen.
Erweiterter Leistungsbereich für Spitzenwerte beim Nennstrom
Entwickelt wurden drei 3,3 kV Module (1200 A; 1800 A und 1800 A), zwei 4,5 kV-Module (900 A; 1350 A und 1500 A) und zwei 6,5 kV-Module (600 A und 900 A). Zwei der genannten Modultypen (1800 A/3,3 kV und 1500 A/4,5 kV) erzielen laut Mitsubishi Electric internationale Spitzenwerte in Bezug auf die erreichten Nennströme, ebenso wie der bereits früher freigegebene X-Serien Modultyp 1000 A/6,5 kV.
Verlustleistung reduzieren
Der 7. Generation CSTBT-Chip und der RFC-Diodenchip reduzieren die Verlustleistung um 20 Prozent. Zudem erlaubt das neue Chip-Set ein etwa 33 Prozent kleineres Modulgehäuse (gleiche Werte bei Nenn-Strom und Nenn-Spannung zugrunde gelegt), was ein Reduzierung der Umrichterbaugröße ermöglicht.
Die maximale Chiptemperatur von 150 °C während des Betriebs vereinfacht die Kühlbedingungen, was sowohl zur Reduzierung der Umrichterbaugröße als auch als ein zusätzlicher Freiheitsgrad beim Umrichter-Design genutzt werden kann.
Gehäusestruktur für hohe Betriebszuverlässigkeit
Die neue interne Gehäusestruktur verlängert laut Hersteller die Modul-Lebensdauer, indem sie die Verlustwärmeableitung verbessert, Feuchtigkeit besser widersteht und die Entflammbarkeit verringert.
Die Produktfreigabe der neuen Modultypen erfolgt sequentiell beginnend ab September.
