Höhere Leistungsdichte und geringere Verluste Leistungselektronik der IGBT-7-Reihe deckt Nachhaltigkeit und E-Mobilität ab 21.11.2024Leistungselektronik wird stetig weiterentwickelt, um den steigenden Anforderungen an effizientere, kleinere und ...
Für gewichtsoptimierte Leistungselektronik Mittelfrequenztransformator mit nanokristallinem Kern 24.05.2024Die Mittelfrequenztransformatoren (MFTs) von Block bieten durch den Betrieb bei höheren Schaltfrequenzen eine ...
Überblick für Entwickler batteriebetriebener Systeme (Promotion) SiC-MOSFETs und Si-IGBTs als selbstgeschützte Batterietrennschalter 01.05.2024Das kostenlose Whitepaper gibt Einblicke in die Herausforderung, Solid-State-Lösungen als Ersatz für mechanische ...
Blick hinter die Kulissen Die Technologie hinter IGBTs 01.06.2023In diesem Beitrag geben wir einen Überblick über den Aufbau und die Funktionsweise von IGBTs und betrachten ...
Bipolartransistoren verfügbar (Promotion) IGBTs des Modells BID 04.11.2022Kombinieren die Technologie eines MOSFET-Gates und eines Bipolartransistors und sind für Hochspannungs-/ ...
Traktionsumrichter für Hochgeschwindigkeitszüge Antriebs-Update verbessert Effizienz von ICEs der DB 27.10.2021Die Deutsche Bahn vergab einen Großauftrag zur Modernisierung ihrer InterCity-Express-Züge der ersten Generation ( ...
Volumenvertrag in der Elektromobilität Infineon liefert E-Auto-Chips an Danfoss 17.06.2020Angesichts des langfristig steigenden Marktbedarfs an Leistungshalbleitern für Elektroautos haben Danfoss und ...
SiC- und GaN-IGBTs im Vergleich Das Kräftemessen in der Leistungselektronik hat begonnen 15.06.2018Die Wide-Bandgap-Halbleitermaterialien Galliumnitrid und Siliziumkarbid versprechen die Leistungselektronik zu ...
Im Rampenlicht: Infineon Technologies (Promotion) Starke MOSFETS für schnelle Autos 01.09.2017Unter dem Motto „Wir bewegen (uns in) die Zukunft“ bietet Infineon Technologies Automotive-Herstellern ein breites ...
Hochvolt-IGBT-Module Umrichter: Mehr Leistung bei geringerer Baugröße 18.05.2017Mitsubishi Electric erweitert die X-Serie an HVIGBT-Modulen um acht neue Modul-Typen. Sie helfen dabei, die Leistung ...
HVIGBT-Module mit hoher Leistungsdichte Für mehr Ausgangsleistung beim Umrichter 18.05.2017Die beiden neuen Hochvolt-IGBT-Module der X-Serie von Mitsubishi Electric erhöhen durch ihre hohe Leistungsdichte ...
Leistungswandler Infineon: Erstes Full-SiC-Modul in Serienproduktion 16.05.2017Größere Leistungsdichte, geringere Baugrößen und reduzierte Systemkosten: Das sind die wesentlichen Vorteile von ...
Rohm Semiconductor Volle Power auf der PCIM 02.05.2017Auf der PCIM zeigt Rohm Semicondutor ein erweitertes Portfolio voller Power.
Hy-Line Power Components Leistung zuverlässig bereitstellen 02.05.2017Auf der PCIM präsentiert Hy-Line Power Components unter anderem Stromversorgungsmodule für die IGBT-Highside-Versorgung.
Simulation von Leistungshalbleitern Wege durchs IGBT-Dickicht 18.04.2017Leistungshalbleiter werden in vielen Bereichen der Elektronik benötigt. Bei ihrem Einsatz ist es wichtig, die ...
Thermoschnittstellenmaterial Zuverlässige Wärmeleitung in engen Zwischenräumen 07.03.2017Mit Soft-PGS stellt Rutronik ein hoch komprimierbares Thermoschnittstellenmaterial (TIM) von Panasonic vor.
Leistungsmodule (Promotion) Hochleistungsmodule für den Einsatz in Wechselrichtern 28.10.2016Bahntechnik, Windkraft, Elektrogroßgeräte oder Elektrofahrzeuge – für all diese Anwendungen bietet Mitsubishi ...
Transaktion der Produktpalette Littelfuse übernimmt Teile von ON Semiconductor 13.09.2016Die Produktpalette an Suppressdioden (TVS), Schalt-Thyristoren und Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode ...
Hybrid-Module Vorteile aus zwei Welten 27.04.2016IGBT-Module auf Basis von Silizium sind hoch ausgereift, stoßen aber bei höheren Anforderungen an Leistungsdichte ...
Si oder SiC Silizium-Karbid als Alternative 22.10.2015Leistungshalbleitern kommt eine wichtige Rolle bei der effizienteren Nutzung elektrischer Energie zu. Silizium- ...
IGBT-Neuheiten (Promotion) Der siebte Streich ist gelungen 08.05.2015Der Leistungselektronikhersteller Fuji Electric entwickelt derzeit die IGBT-Module der X-Serie. Erste Prototypen ...
IGBT-Trends Jungbrunnen für Schnellschalter 13.01.2014IGBTs sind bereits seit über drei Jahrzehnten auf dem Markt und heute wohl das am häufigsten genutzte Bauelement der ...
Power & Leistungselektronik In the spotlight 12.11.2013For more than 25 years Fuji Electric (FE) delivers power modules for almost every power-electronics application ...
600 - 3300 Volt Im Rampenlicht 29.04.2013Seit mehr als 25 Jahren liefert Fuji Electric in Europa Power-Module für fast alle leistungselektronischen ...
.jpg "SiC-MOSFETs und Si-IGBTs als selbstgeschützte Batterietrennschalter")
-no-template-german%20(1).jpg "IGBTs des Modells BID")
