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600 - 3300 Volt Im Rampenlicht

Verfügbar sind 600-, 1200-, 1700- und 3300-V-Bauelemente von 10 bis 3600 A Nennstrom in allen Standard- oder Quasi-Standard-Bauformen und Konfigurationen als intelligente Power-Module oder Standard.

Verfügbar sind 600-, 1200-, 1700- und 3300-V-Bauelemente von 10 bis 3600 A Nennstrom in allen Standard- oder Quasi-Standard-Bauformen und Konfigurationen als intelligente Power-Module oder Standard.

29.04.2013

Seit mehr als 25 Jahren liefert Fuji Electric in Europa Power-Module für fast alle leistungselektronischen Anwendungen. Fuji-IGBTs mit ihrer langen Lebensdauer, hoher Zuverlässigkeit und Leading-Edge Technology gepaart mit exzellentem Service in Bezug auf Logistik, Technik und After-Sales bedeuten für den Anwender ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis. Modernste Fertigung in Japan und Malaysia ermöglichen höchste Liefertreue und schnelle Kapazitätsanpassungen an die Erfordernisse des Marktes.

Bildergalerie

  • Ultraschall-Schweißtechnik im Einsatz in High-Power-Halbbrücken von Fuji Electric (FE). FE-High-Power-Halbbrücken und Chopper sind in großer Produktvielfalt lieferbar: 1200 V, 1700 V und 600 bis 1400 A, high speed und low Sat. Ein hoher CTI (>600) ermöglicht den Einsatz in schwieriger Umgebung (hoher Verschmutzungsgrad).

    Ultraschall-Schweißtechnik im Einsatz in High-Power-Halbbrücken von Fuji Electric (FE). FE-High-Power-Halbbrücken und Chopper sind in großer Produktvielfalt lieferbar: 1200 V, 1700 V und 600 bis 1400 A, high speed und low Sat. Ein hoher CTI (>600) ermöglicht den Einsatz in schwieriger Umgebung (hoher Verschmutzungsgrad).

    Bild: Dominik Gierke

  • Durch Parallel-Schaltung und optimierte Verteilung der Halbleiter-Chips in den High-Power-Dual-Modulen wird eine sehr homogene Verteilung der Verlustleistung erzielt, was zu gleichmäßiger Wärmeverteilung beiträgt und sich somit positiv auf die Zuverlässigkeit auswirkt.

    Durch Parallel-Schaltung und optimierte Verteilung der Halbleiter-Chips in den High-Power-Dual-Modulen wird eine sehr homogene Verteilung der Verlustleistung erzielt, was zu gleichmäßiger Wärmeverteilung beiträgt und sich somit positiv auf die Zuverlässigkeit auswirkt.

    Bild: Dominik Gierke

  • Ein neues IPM mit Mini-Abmessungen (26 mm x 43 mm) und hoher Funktionalität beinhaltet Treiber-ICs und Boot-Strap-Dioden und kommt im vollisolierten DIL-Gehäuse mit hoher Isolationsfestigkeit (>1,5 KV).

    Ein neues IPM mit Mini-Abmessungen (26 mm x 43 mm) und hoher Funktionalität beinhaltet Treiber-ICs und Boot-Strap-Dioden und kommt im vollisolierten DIL-Gehäuse mit hoher Isolationsfestigkeit (>1,5 KV).

    Bild: Dominik Gierke

  • FE-High-Reliability-Lot-Material (PB-free) erhöht die Zuverlässigkeit der Bauelemente und ist in den High-Power-Halbbrücken mit niederinduktivem Aufbau kombiniert.

    FE-High-Reliability-Lot-Material (PB-free) erhöht die Zuverlässigkeit der Bauelemente und ist in den High-Power-Halbbrücken mit niederinduktivem Aufbau kombiniert.

    Bild: Dominik Gierke

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