Cree hat mit dem CGHV50200F eigenen Angaben zufolge den ersten Galliumnitrid-Transistor der Industrie für Troposcatter-Kommunikations-Anwendungen entwickelt. Der Transistor verfügt laut Cree über eine Leistung von 200 W im Dauerstrichbetrieb, eine Frequenz von 4,5 bis 5 GHz und eine Leistungsverstärkung von 11,5 dB. Sein Wirkungsgrad soll typischerweise bei 48 Prozent liegen. Zum Einsatz kommen soll er unter anderem in der Satellitenkommunikation.
Troposcatter-Kommunikation GaN-Transistor für Satelliten
Der GaN-Transistor CGHV50200F von Cree.
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Cree Europe GmbH
Unterschleißheim, Deutschland
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