Innoscience gab an der Börse Hongkong bekannt, dass das Unternehmen und seine Tochtergesellschaft Innoscience (Suzhou) Semiconductor (Kläger) eine Klage gegen Infineon Technologies (China) (Beklagter 1), Infineon Technologies (Wuxi) (Beklagter 2) und Suzhou Xinwoko Electronic Technology (Beklagter 3) beim Mittleren Volksgericht Suzhou in der Provinz Jiangsu eingereicht hat. Dabei werden die Beschwerdenummer (2024) Su05 Minchu 1430 für das Patent Nr. 202311774650.7 und die Beschwerdenummer (2024) Su05 Minchu 1431 für das Patent Nr. 202211387983.X geltend gemacht.
Inno Suzhou ist Patentinhaber der Patentnummern 202311774650.7 und 202211387983.X. Das Unternehmen hat die Lizenz von Inno Suzhou für die betreffenden Patente erworben. Diese betreffen jeweils ein Galliumnitrid-/GaN-Leistungsbauelement und sein Herstellungsverfahren sowie ein nitridbasiertes Halbleiterbauelement und sein Herstellungsverfahren.
Laut der Klage ist der Beklagte 2 eine Tochtergesellschaft des Beklagten 1 und die juristische Person der chinesischen Website von Infineon. Dort werden verschiedene Arten von GaN-Halbleiterbauelementen angezeigt, beworben und potenziellen Kunden in China zum Verkauf angeboten. Der Beklagte 1 ist der Importeur und Generalvertrieb der in diesem Fall betroffenen rechtsverletzenden Produkte. Laut der chinesischen Website von Infineon ist der Beklagte 3 der Mehrwertvertrieb der Beklagten 1 und 2 in China. Nach einem technischen Vergleich ist der Kläger der Ansicht, dass die in diesem Fall betroffenen rechtsverletzenden Produkte in den Schutzbereich des in diesem Fall betroffenen Patents fallen. Die drei Beklagten verkaufen und importieren die in diesem Fall betroffenen rechtsverletzenden Produkte ohne die Erlaubnis des Klägers, was eine Verletzung des in diesem Fall betroffenen Patents darstellt. Laut Gesetz sollten sie entsprechende rechtliche Verantwortung tragen, also die Rechtsverletzung beenden und Schadensersatz leisten.
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