Infineon Technologies und Panasonic haben eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Galliumnitrid-(GaN)-Bausteinen unterzeichnet. Diese basieren auf der selbstsperrenden GaN-auf-Silizium-Transistorstruktur von Panasonic, die in ein oberflächenmontierbares (SMD)-Gehäuse von Infineon integriert wird.
In diesem Zusammenhang hat Panasonic eine Lizenz für die selbstsperrende GaN-Transistorstruktur an Infineon vergeben. Beide Unternehmen können nun auf Grundlage der Vereinbarung hochleistungsfähige GaN-Bausteine herstellen. Kunden profitieren damit von zwei möglichen Lieferquellen für GaN-Leistungsschalter in einem kompatiblen Gehäuse: eine Möglichkeit, die es bislang für keinen anderen GaN-on-Silicon-Baustein gab.
Muster eines 600-V-70-mΩ-Bausteins in einem DSO(Dual Small Outline)-Gehäuse wollen die Unternehmen erstmalig auf der Applied Power Electronics Conference and Exposition(APEC) vorstellen, die vom 15. bis 19. März 2015 in Charlotte, North Carolina, USA, stattfindet.
