Rohm Semiconductor, Halle 9, Stand 211 SiC-MOSFETs und Kfz-LDOs

Kernbereiche des Messeauftritts von Rohm Semiconductor sind unter anderem effiziente Standard-Automotive-LDOs, Fast-Recovery-Dioden der 3. Generation und
SiC-MOSFETs mit Trench-Struktur. Die Kfz-Standard-LDOs sollen sich durch geringen Stromverbrauch, hohe Stromausbeute, hohe Spannungsfestigkeit und einen weiten Betriebstemperaturbereich (–40 bis 125 °C) auszeichnen. Die zwei neuen Fast-Recovery-Dioden-Serien ergänzen die Standard-Balance- und Soft-Recovery-Versionen für optimale Leistung in den vielfältigsten Anwendungsbereichen. Bei den SiC-MOSFETs der 3. Generation handelt es sich um SiC-MOSFETs mit Trench-Gate-Struktur.